Infineon N Kanal, MOSFET, 25 A 250 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 3

RS-artikelnummer:: 124-8755
Tillv. art.nr:: IPB600N25N3GATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 25 A 250 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 3

Antal (1 rulle med 1000 enheter)*

15 366,00 kr

(exkl. moms)

19 208,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 15 juni 2027

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
1000 +	15,366 kr	15 366,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 124-8755
Tillv. art.nr:: IPB600N25N3GATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	25A
	Maximal källspänning för dränering Vds	250V
	Serie	OptiMOS 3
	Kapseltyp	TO-263
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	60mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	22nC
	Framåtriktad spänning Vf	1V
	Maximal effektförlust Pd	136W
	Maximal arbetstemperatur	175°C
	Längd	10.31mm
	Standarder/godkännanden	No
	Bredd	9.45mm
	Höjd	4.57mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 25A
	Maximal källspänning för dränering Vds 250V
	Serie OptiMOS 3
	Kapseltyp TO-263
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 60mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 22nC
	Framåtriktad spänning Vf 1V
	Maximal effektförlust Pd 136W
	Maximal arbetstemperatur 175°C
	Längd 10.31mm
	Standarder/godkännanden No
	Bredd 9.45mm
	Höjd 4.57mm
	Fordonsstandard Nej

COO (ursprungsland):: CN

Infineon OptiMOS 3-serien MOSFET, 250 V drain-källspänning, 25 A kontinuerlig drain-ström – IPB600N25N3GATMA1

Denna MOSFET är en högspänningstransistor med N-kanal som är utformad för effektomvandling och omkopplingsuppgifter i krävande elektroniska system. Den fungerar över ett mycket brett temperaturområde och är konfigurerad för ytmonterad implementering, vilket ger ett kompakt fotavtryck för värmehantering i monteringar där robust effekthantering och grindstyrning krävs.

Funktioner och fördelar:

• 250 V drain-to-source-klassning möjliggör högspänningsomkopplingsförmåga
• Motståndet på 60 mΩ minskar ledningsförlusterna och förbättrar effektiviteten
• Kontinuerlig dräneringsström på 25 A stöder kontinuerlig drift med hög belastning
• 136 W effektförlust möjliggör betydande värmehantering i kretsar
• 22 nC grindladdning ger förutsägbar omkopplingsenergi och drivkonstruktion
• 20 V gate-source-gränsen möjliggör standard gate-drivspänningsmarginaler

Användningsområden

• Lämpligt för högspännings-SMPS primära omkopplingsstegen
• Idealisk för industriella motorstyrningsväxelriktare
• Används för DC/DC-omvandlare i telekomkraftsystem
• Kan användas för batterihantering och laddartopologi
• Används vid generell strömomkoppling på ytmonterade kort

Vilket temperaturområde kan den tolerera under drift?

Den är klassad för drift från -55 °C upp till 175 °C, vilket möjliggör användning i miljöer med extrema temperaturvariationer.

Vilken förpackningstyp underlättar montering och värmeöverföring?

Den levereras i en TO-263-förpackning för ytmontering som underlättar lödmontering och erbjuder en stor värmedyna för motståndsvärmespridning.

Hur uppför sig enheten för gate-drivkonstruktion?

Den typiska grindladdningen på 22 nC ger en kvantifierbar omkopplingsenergi för storleken på grinddrivare och uppskattar omkopplingsförluster.

Vilken ledningsförmåga bör konstruktörer förvänta sig under belastning?

Med ett maximalt specifikt avtappningsmotstånd på 60 mΩ kan konstruktörer beräkna ledningsförluster för strömbanor upp till den nominella kontinuerliga 25 A.