Infineon N Kanal, MOSFET, 120 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 3
- RS-artikelnummer:
- 911-0897
- Tillv. art.nr:
- IPB020NE7N3GATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 1000 enheter)*
27 821,00 kr
(exkl. moms)
34 776,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 25 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 1000 + | 27,821 kr | 27 821,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 911-0897
- Tillv. art.nr:
- IPB020NE7N3GATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 120A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 75V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.9V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 155nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 300W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 9.45mm | |
| Längd | 10.31mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 4.57mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 120A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 75V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.9V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 155nC | ||
Maximal effektförlust Pd 300W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 9.45mm | ||
Längd 10.31mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 4.57mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
RoHS-status: Inte relevant
- COO (ursprungsland):
- CN
Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 60 till 80V
OptiMOS™-produkterna finns i högpresterande paket för att klara de mest utmanande applikationerna och ger full flexibilitet i begränsade utrymmen. Dessa Infineon-produkter är utformade för att uppfylla och överträffa kraven på energieffektivitet och effekttäthet i nästa generations skärpta standarder för spänningsreglering i datortillämpningar.
Snabbswitchande MOSFET för SMPS
Optimerad teknik för DC/DC-omvandlare
Kvalificerad enligt JEDEC1) för målapplikationer
N-kanal, logisk nivå
Utmärkt grindladdning x R DS(on)-produkt (FOM)
Mycket låg på-resistans R DS(on)
Pb-fri plätering
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 120 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 50 A 120 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS-T
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 180 A 120 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 70 A 120 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 100 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS AEC-Q101