Infineon N Kanal, MOSFET, 50 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 3
- RS-artikelnummer:
- 214-4410
- Tillv. art.nr:
- IPP200N15N3GXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 50 enheter)*
907,20 kr
(exkl. moms)
1 134,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 500 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 18,144 kr | 907,20 kr |
| 100 - 200 | 16,15 kr | 807,50 kr |
| 250 - 450 | 15,241 kr | 762,05 kr |
| 500 - 950 | 14,152 kr | 707,60 kr |
| 1000 + | 13,61 kr | 680,50 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 214-4410
- Tillv. art.nr:
- IPP200N15N3GXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 50A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 150V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 20mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 23nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 150W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 4.4mm | |
| Bredd | 15.93mm | |
| Längd | 10.2mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 50A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 150V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 20mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 23nC | ||
Maximal effektförlust Pd 150W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 4.4mm | ||
Bredd 15.93mm | ||
Längd 10.2mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Denna Infineon OptiMOS 3 MOSFET är idealisk för högfrekvent switchning och synkron likriktning. Den är kvalificerad enligt JEDEC för målapplikationer
Den är halogenfri enligt IEC61249-2-21
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 50 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 37 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 83 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 5
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 112 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 5
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 64 A 250 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 43 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 3