Infineon 2 Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 2 A 30 V Förbättring, 6 Ben, TSOP, OptiMOS P AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 892-2172
- Distrelec artikelnummer:
- 304-44-410
- Tillv. art.nr:
- BSL308PEH6327XTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (40 enheter, i en förpackning med 40)*
166,72 kr
(exkl. moms)
208,40 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 5 760 enhet(er) från den 28 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 40 + | 4,168 kr | 166,72 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 892-2172
- Distrelec artikelnummer:
- 304-44-410
- Tillv. art.nr:
- BSL308PEH6327XTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 2A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Serie | OptiMOS P | |
| Kapseltyp | TSOP | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 6 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 130mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20, +20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | -0.8V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | -5nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 500mW | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Isolerad | |
| Höjd | 1mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 1.6mm | |
| Längd | 2.9mm | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 2A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Serie OptiMOS P | ||
Kapseltyp TSOP | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 6 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 130mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20, +20V | ||
Framåtriktad spänning Vf -0.8V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs -5nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 500mW | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Transistorkonfiguration Isolerad | ||
Höjd 1mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 1.6mm | ||
Längd 2.9mm | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS P-serien MOSFET, 30 V drain source-spänning, 2 A maximal kontinuerlig drain-ström – BSL308PEH6327XTSA1
Denna MOSFET är en P-kanalförstärkningstransistor avsedd för ytmonteringstillämpningar inom fordons- och industriell elektronik. Den ger switchad enhetsfunktionalitet för miljöer med höga temperaturer och levereras i ett kompakt 6-stifts TSOP-paket med dubbla element på ett enda kretskort, lämpligt för utrymmesbegränsade kretsar.
Funktioner och fördelar:
• Låg påslagningsresistans på 130 mΩ minskar ledningsförluster
• Klassad för 30 V drain-källspänning som möjliggör användning av 30 V-system
• Kontinuerlig dräneringsströmkapacitet på 2 A stöder måttliga belastningar
• Typisk grindladdning -5 nC vid Vgs för snabbare omkopplingsrespons
• Effektförlust på 500 mW möjliggör tillförlitlig värmehantering
• Godkänd enligt AEC-Q101 för fordonsbelastningsprestanda
• Klassad för 30 V drain-källspänning som möjliggör användning av 30 V-system
• Kontinuerlig dräneringsströmkapacitet på 2 A stöder måttliga belastningar
• Typisk grindladdning -5 nC vid Vgs för snabbare omkopplingsrespons
• Effektförlust på 500 mW möjliggör tillförlitlig värmehantering
• Godkänd enligt AEC-Q101 för fordonsbelastningsprestanda
Användningsområden
• Lämplig för högtemperatur-effektswitchar för fordon
• Idealisk för lastväxling i batterihanteringssystem
• Används med DC-DC-omvandlare som kräver P-kanal-enheter
• Kan användas för dubbelkanaliga polaritetsskyddskretsar
• Lämplig för kompakta ytmonterade strömfördelningskort
• Idealisk för lastväxling i batterihanteringssystem
• Används med DC-DC-omvandlare som kräver P-kanal-enheter
• Kan användas för dubbelkanaliga polaritetsskyddskretsar
• Lämplig för kompakta ytmonterade strömfördelningskort
Vilka gränsspänningsgränser bör jag följa för säker drift?
Gate-to-source-spänningen får inte överstiga 20 V i någon av polariteterna för att undvika enhetsbelastning.
Hur många transistorer finns på chipet och vad möjliggör det?
Det finns två P-kanalkomponenter per chip, vilket möjliggör parkopplad omkoppling eller förenklade tvåkanaliga layouter.
Vilket omgivningstemperaturområde tål enheten under drift?
Den är specifik för drift från -55 °C upp till 150 °C för tillämpningar med förhöjda kopplingstemperaturer.
Hur påverkar förpackningen kortplacering och routing?
TSOP 6-stifts ytpaket minimerar kortets fotavtryck och förenklar termisk och signalstyrning för kompakta konstruktioner.
Relaterade länkar
- Infineon 2 Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 2 A 30 V Förbättring, 6 Ben, TSOP, OptiMOS P AEC-Q101
- Infineon 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 1.5 A 20 V Förbättring, 6 Ben, TSOP, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon 2 Typ N, Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 1.5 A 30 V Förbättring, 6 Ben, TSOP-6, OptiMOS™ AEC-Q101
- Infineon 1 Typ P, Typ N Kanal Dubbel, MOSFET-arrayer, 2.3 A 30 V Förbättring, 6 Ben, TSOP, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon 2 N Kanal Isolerad, MOSFET, 950 mA 20 V Förbättring, 6 Ben, SC-88, OptiMOS 2 AEC-Q101
- Infineon 2 N Kanal Isolerad, MOSFET, 300 mA 60 V Förbättring, 6 Ben, SC-88, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 1.5 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, OptiMOS P AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 1.6 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, OptiMOS P AEC-Q101