Sök efter MPN

Infineon N Kanal, Effekt-MOSFET, 355 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HEXFET

RS-artikelnummer:: 879-3325
Tillv. art.nr:: IRFP7718PBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, Effekt-MOSFET, 355 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HEXFET

För närvarande inte tillgänglig

Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.

RS-artikelnummer:: 879-3325
Tillv. art.nr:: IRFP7718PBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	Effekt-MOSFET
	Kanaltyp	N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	355A
	Maximal källspänning för dränering Vds	75V
	Kapseltyp	TO-247
	Serie	HEXFET
	Typ av fäste	Genomgående hål
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	1.8mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Maximal effektförlust Pd	517W
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	552nC
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	-20V, +20V
	Framåtriktad spänning Vf	1.3V
	Maximal arbetstemperatur	175°C
	Bredd	5.31mm
	Höjd	20.7mm
	Längd	15.87mm
	Standarder/godkännanden	Lead-Free, RoHS
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp Effekt-MOSFET
	Kanaltyp N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 355A
	Maximal källspänning för dränering Vds 75V
	Kapseltyp TO-247
	Serie HEXFET
	Typ av fäste Genomgående hål
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 1.8mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Maximal effektförlust Pd 517W
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 552nC
	Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V
	Framåtriktad spänning Vf 1.3V
	Maximal arbetstemperatur 175°C
	Bredd 5.31mm
	Höjd 20.7mm
	Längd 15.87mm
	Standarder/godkännanden Lead-Free, RoHS
	Fordonsstandard Nej

N-Channel Power MOSFET 60V to 80V, Infineon

The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range Benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.