Infineon N Kanal, Effekt-MOSFET, 355 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 879-3325
- Tillv. art.nr:
- IRFP7718PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 879-3325
- Tillv. art.nr:
- IRFP7718PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 355A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 75V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.8mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 552nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 517W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20, +20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 5.31mm | |
| Standarder/godkännanden | Lead-Free, RoHS | |
| Höjd | 20.7mm | |
| Längd | 15.87mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 355A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 75V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.8mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 552nC | ||
Maximal effektförlust Pd 517W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20, +20V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 5.31mm | ||
Standarder/godkännanden Lead-Free, RoHS | ||
Höjd 20.7mm | ||
Längd 15.87mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanals Power MOSFET 60V till 80V, Infineon
Infineons sortiment av diskreta HEXFET® power MOSFETs omfattar N-kanals enheter i ytmonterade och blyade kapslingar. Och formfaktorer som kan hantera nästan alla utmaningar när det gäller kortlayout och termisk design. Benchmark på motstånd i hela sortimentet minskar ledningsförluster, vilket gör det möjligt för konstruktörer att leverera optimal systemeffektivitet.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.
Relaterade länkar
- Infineon 1 Typ N, Typ N Kanal Enkel, MOSFET, 355 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 75 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 209 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 350 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-247AC, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 75 A 200 V, TO-247, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 75 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 160 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 65 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HEXFET