Infineon N Kanal, MOSFET, 522 A 40 V Förbättring, 6 Ben, TO-263, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 872-4202
- Tillv. art.nr:
- IRFS7430TRL7PP
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 förpackning med 4 enheter)*
210,78 kr
(exkl. moms)
263,48 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 64 enhet(er) är redo att levereras
- Dessutom levereras 5 148 enhet(er) från den 14 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 4 + | 52,695 kr | 210,78 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 872-4202
- Tillv. art.nr:
- IRFS7430TRL7PP
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 522A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 6 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 750μΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.8V | |
| Maximal effektförlust Pd | 375W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 305nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 10.67mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 9.65mm | |
| Höjd | 4.83mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 522A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 6 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 750μΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.8V | ||
Maximal effektförlust Pd 375W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 305nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 10.67mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 9.65mm | ||
Höjd 4.83mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
RoHS-status: Inte relevant
N-kanals Power MOSFET 40V, Infineon
Infineons sortiment av diskreta HEXFET® power MOSFETs omfattar N-kanaliga enheter i ytmonterade och blyade paket och formfaktorer som kan hantera nästan alla utmaningar när det gäller kortlayout och termisk design. Hela sortimentets riktmärke för motstånd minskar ledningsförlusterna, vilket gör det möjligt för konstruktörerna att leverera optimal systemeffektivitet.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 522 A 40 V Förbättring, 6 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 522 A 40 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 105 A 150 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 29 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 160 A 40 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 173 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 183 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 18 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET