onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 5.7 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, FQD7P20TM
- RS-artikelnummer:
- 864-4948
- Tillv. art.nr:
- FQD7P20TM
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (2500 enheter, på en rulle med 2500)*
12 460,00 kr
(exkl. moms)
15 575,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Försörjningsbrist
- 2 500 kvar, redo att levereras
Vårt nuvarande lager är begränsat och våra leverantörer förväntar sig brist.
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 2500 - 10000 | 4,984 kr | 12 460,00 kr |
| 12500 - 22500 | 4,819 kr | 12 047,50 kr |
| 25000 + | 4,695 kr | 11 737,50 kr |
*vägledande pris
Alternativ
Denna produkt är för närvarande inte tillgänglig. Vi rekommenderar denna produkt istället.
Var (i ett paket med 5)
94,53 kr
(exkl. moms)
118,16 kr
(inkl. moms)
- RS-artikelnummer:
- 864-4948
- Tillv. art.nr:
- FQD7P20TM
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 5.7A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 200V | |
| Serie | FQD7P20TM | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 690mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 2.5W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 19nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -30, +30V | |
| Framåtriktad spänning Vf | -5V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 6.6mm | |
| Höjd | 2.3mm | |
| Bredd | 6.1mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 5.7A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 200V | ||
Serie FQD7P20TM | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 690mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 2.5W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 19nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -30, +30V | ||
Framåtriktad spänning Vf -5V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 6.6mm | ||
Höjd 2.3mm | ||
Bredd 6.1mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Enhancement Mode P-kanal MOSFET, ON Semiconductor
ON Semiconductors sortiment av P-kanaliga MOSFETS tillverkas med ON Semis egenutvecklade DMOS-teknik med hög celldensitet. Denna process med mycket hög densitet har utformats för att minimera on-state-motståndet och ge en robust och tillförlitlig prestanda för snabb omkoppling.
Funktioner och fördelar:
• Spänningsstyrd P-kanalsswitch för små signaler
• Cellkonstruktion med hög densitet
• Hög mättnadsström
• Överlägsen omkoppling
• Mycket robust och tillförlitlig prestanda
• DMOS-teknik
Användningsområden:
• Lastväxling
• DC/DC-omvandlare
• Batteriskydd
• Kontroll av strömhantering
• Styrning av DC-motor
MOSFET-transistorer, ON Semi
ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.
ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.
Relaterade länkar
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 5.7 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, FQD7P20TM
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 5.7 A 70 V Förbättring, 3 Ben, TO-252
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 15.5 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 25 A 30 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, NTD25P03L
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 9.4 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, QFET
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 1.33 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, QFET
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 6.7 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, PowerTrench
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 6.7 A 12 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, PowerTrench