onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 12 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, QFET
- RS-artikelnummer:
- 671-0968
- Distrelec artikelnummer:
- 304-43-729
- Tillv. art.nr:
- FQD17P06TM
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Få en mängdrabatt
Lägg till 50 till för att spara 13%
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
75,15 kr
(exkl. moms)
93,95 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Försörjningsbrist
På grund av begränsningar i försörjningskedjan tilldelas lager allt eftersom det blir tillgängligt.
Enheter | Per enhet | Per förpackning* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 5 - 45 | 15,03 kr | 75,15 kr | - |
| 50 - 95 | 12,948 kr | 64,74 kr | 13% |
| 100 - 495 | 11,244 kr | 56,22 kr | 25% |
| 500 - 995 | 9,90 kr | 49,50 kr | 34% |
| 1000 + | 9,004 kr | 45,02 kr | 40% |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 671-0968
- Distrelec artikelnummer:
- 304-43-729
- Tillv. art.nr:
- FQD17P06TM
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 12A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Serie | QFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 135mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 21nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 2.5W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | -4V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -25V, +25V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 6.73mm | |
| Höjd | 2.39mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 6.22mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 12A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Serie QFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 135mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 21nC | ||
Maximal effektförlust Pd 2.5W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf -4V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -25V, +25V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 6.73mm | ||
Höjd 2.39mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 6.22mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Enhancement Mode P-kanal MOSFET, ON Semiconductor
ON Semiconductors sortiment av P-kanaliga MOSFETS tillverkas med ON Semis egenutvecklade DMOS-teknik med hög celldensitet. Denna process med mycket hög densitet har utformats för att minimera on-state-motståndet och ge en robust och tillförlitlig prestanda för snabb omkoppling.
Funktioner och fördelar:
• Spänningsstyrd P-kanalsswitch för små signaler
• Cellkonstruktion med hög densitet
• Hög mättnadsström
• Överlägsen omkoppling
• Mycket robust och tillförlitlig prestanda
• DMOS-teknik
Användningsområden:
• Lastväxling
• DC/DC-omvandlare
• Batteriskydd
• Kontroll av strömhantering
• Styrning av DC-motor
MOSFET-transistorer, ON Semi
ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.
ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.
Relaterade länkar
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 12 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, QFET
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 9.4 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, QFET
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 1.33 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, QFET
- onsemi Typ P Kanal, P-kanal QFET MOSFET, 2.7 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, QFET
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 6.6 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, QFET AEC-Q101
- onsemi N Kanal, MOSFET, 10 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, QFET
- onsemi N Kanal, MOSFET, 15.6 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, QFET
- onsemi N Kanal, MOSFET, 9 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, QFET