Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 5.2 A 55 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, HEXFET

RS-artikelnummer:: 168-8747
Tillv. art.nr:: IRLL2705TRPBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 5.2 A 55 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, HEXFET

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

6 787,50 kr

(exkl. moms)

8 485,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 23 juli 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
2500 - 2500	2,715 kr	6 787,50 kr
5000 +	2,579 kr	6 447,50 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 168-8747
Tillv. art.nr:: IRLL2705TRPBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Kanaltyp	Typ N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	5.2A
	Maximal källspänning för dränering Vds	55V
	Serie	HEXFET
	Kapseltyp	SOT-223
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	4
	Maximal drain-källresistans Rds	65mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Maximal effektförlust Pd	2.1W
	Framåtriktad spänning Vf	1.3V
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	32nC
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Längd	6.7mm
	Höjd	1.739mm
	Standarder/godkännanden	No
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Kanaltyp Typ N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 5.2A
	Maximal källspänning för dränering Vds 55V
	Serie HEXFET
	Kapseltyp SOT-223
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 4
	Maximal drain-källresistans Rds 65mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Maximal effektförlust Pd 2.1W
	Framåtriktad spänning Vf 1.3V
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 32nC
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Längd 6.7mm
	Höjd 1.739mm
	Standarder/godkännanden No
	Fordonsstandard Nej

COO (ursprungsland):: MY

MOSFET i Infineons HEXFET-serie, 5,2A maximal kontinuerlig dräneringsström, 2,1W maximal effektförlust - IRLL2705TRPBF

Denna högpresterande MOSFET är konstruerad för effektiv strömhantering i olika applikationer. Med en N-kanalskonfiguration ger den utmärkta switchegenskaper, vilket gör den lämplig för uppgifter som kräver snabb respons och minimerad energiförlust. Denna komponent förbättrar effektiviteten och tillförlitligheten hos elektroniska kretsar, särskilt i automations- och styrsystem.

Funktioner & fördelar

• Maximal kontinuerlig dräneringsström på 5,2A

• Drain-källspänning på 55V

• Låg Rds(on) på 65mΩ för effektiv drift

• Kompakt SOT-223-paket för utrymmessnåla konstruktioner

Användningsområden

• Idealisk för strömförsörjningskretsar

• Används i krafthanteringssystem för fordon

• Används vanligen för omkoppling i högfrekventa kretsar

• Integreras väl i kraftomriktare för system för förnybar energi

Vilken är den maximala spänning som denna komponent kan hantera?

Produkten har en maximal drain-source-spänning på 55 V, vilket ger robusta prestanda i olika applikationer.

Kan den arbeta vid höga temperaturer?

Ja, den är klassad för en maximal driftstemperatur på +150°C, vilket garanterar tillförlitlighet i utmanande miljöer.

Hur hanterar denna komponent värme under drift?

Med en maximal effektavledning på 2,1 W hanterar den effektivt värmeutvecklingen och minskar risken för överhettning.

Är den kompatibel med vanliga mönsterkort?

Denna komponent är lämplig för ytmonteringsteknik, vilket gör den lätt att integrera i vanliga mönsterkortslayouter.

Vad gör detta till ett lämpligt val för automationsprojekt?

Den snabba omkopplingsförmågan och det låga on-motståndet bidrar till betydande energibesparingar och ökar effektiviteten i automatiserade system.