Toshiba N Kanal, MOSFET, 11.5 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, DTMOSIV

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 förpackning med 4 enheter)*

84,58 kr

(exkl. moms)

105,72 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 1 540 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
4 +21,145 kr84,58 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
827-6126
Tillv. art.nr:
TK12P60W,RVQ(S
Tillverkare / varumärke:
Toshiba
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Toshiba

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

11.5A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Kapseltyp

TO-252

Serie

DTMOSIV

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

340mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-30V, +30V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

100W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

25nC

Framåtriktad spänning Vf

-1.7V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

6.6mm

Bredd

6.1mm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

2.3mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN

MOSFET-transistorer, Toshiba


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.