Infineon N Kanal, MOSFET, 40 A 25 V Förbättring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS
- RS-artikelnummer:
- 827-5296
- Tillv. art.nr:
- BSZ060NE2LSATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 förpackning med 25 enheter)*
102,675 kr
(exkl. moms)
128,35 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 24 850 enhet(er) från den 21 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 25 + | 4,107 kr | 102,68 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 827-5296
- Tillv. art.nr:
- BSZ060NE2LSATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 40A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 25V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Kapseltyp | TSDSON | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 8.1mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.87V | |
| Maximal effektförlust Pd | 26W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 9.1nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 3.4mm | |
| Höjd | 1.1mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 3.4mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 40A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 25V | ||
Serie OptiMOS | ||
Kapseltyp TSDSON | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 8.1mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.87V | ||
Maximal effektförlust Pd 26W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 9.1nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 3.4mm | ||
Höjd 1.1mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 3.4mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
RoHS-status: Inte relevant
Infineon OptiMOS-serien MOSFET, 25 V maximal drain-källspänning, 40 A maximal kontinuerlig drain-ström – BSZ060NE2LSATMA1
Denna MOSFET är en ytmonterad N-kanalstransistor som är utformad för strömomkoppling och hantering i kompakta elektroniska system. Den fungerar över ett brett temperaturområde och är avsedd för högströmstillämpningar där låga ledningsförluster och effektiv omkoppling krävs. Enheten levereras i ett 8-stifts TSDSON-paket som är lämpligt för täta monteringar och termisk ledning på kretskortslayouter.
Funktioner och fördelar:
• Mycket låg påslagningsresistans på 8.1 mΩ minskar ledningsförluster
• Kontinuerlig avtappningsström på 40 A stöder höga strömbelastningar
• Maximal effektförlust på 26 W möjliggör betydande värmehantering
• Typisk grindladdning på 9.1 nC möjliggör effektiv omkopplingsprestanda
• Framspänning på 0,87 V minimerar spänningsfall under belastning
• Gate-source-spänningstolerans upp till 20 V ger flexibla drivmarginaler
• Kontinuerlig avtappningsström på 40 A stöder höga strömbelastningar
• Maximal effektförlust på 26 W möjliggör betydande värmehantering
• Typisk grindladdning på 9.1 nC möjliggör effektiv omkopplingsprestanda
• Framspänning på 0,87 V minimerar spänningsfall under belastning
• Gate-source-spänningstolerans upp till 20 V ger flexibla drivmarginaler
Användningsområden
• Lämplig för synkrona buck-omvandlareffektsteg
• Idealisk för högströms DC-DC-regulatormoduler
• Används med server- och telekomkraftdistributionssystem
• Kan användas för batterihantering och laddningskretsar
• Lämpligt för motordrivningsstegen före drivning
• Idealisk för högströms DC-DC-regulatormoduler
• Används med server- och telekomkraftdistributionssystem
• Kan användas för batterihantering och laddningskretsar
• Lämpligt för motordrivningsstegen före drivning
Vilket temperaturområde kan jag förvänta mig för implementering?
Enheten är specifik för drift från -55 °C upp till 150 °C, vilket möjliggör användning i miljöer med stora temperaturvariationer.
Hur bidrar paketet till kretskortsintegrering?
TSDSON-formfaktorn ger ett ytmonterat fotavtryck med låg profil som underlättar placering av komponenter nära och direkt värmeledning till kretskortskoppar.
Vilka överväganden gäller för grinddrivning?
Transistorn stöder gate-källspänningar på upp till 20 V
använda grinddrivare som förblir inom denna gräns samtidigt som de ger tillräcklig laddning för snabb omkoppling.
Hur många stift finns tillgängliga för layoutändamål?
Det finns åtta stift som möjliggör flera anslutningar för drain-, source- och gate-routing för att optimera strömvägar och termiska prestanda.
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 25 V Förbättring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 25 V Förbättring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 176 A 25 V Förbättring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS 5
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 126 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 30 V Förbättring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 10.9 A 250 V Förbättring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 40 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS