Infineon N Kanal, MOSFET, 33 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET

RS-artikelnummer:: 145-8839
Tillv. art.nr:: IRFS4615TRLPBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 33 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET

Antal (800 enheter, på en rulle med 800)*

7 536,80 kr

(exkl. moms)

9 420,80 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 19 januari 2027

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
800 +	9,421 kr	7 536,80 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 145-8839
Tillv. art.nr:: IRFS4615TRLPBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	33A
	Maximal källspänning för dränering Vds	150V
	Kapseltyp	TO-263
	Serie	HEXFET
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	42mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	26nC
	Maximal effektförlust Pd	144W
	Framåtriktad spänning Vf	1.3V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	-20, +20V
	Maximal arbetstemperatur	175°C
	Standarder/godkännanden	No
	Höjd	4.83mm
	Bredd	9.65mm
	Längd	10.67mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 33A
	Maximal källspänning för dränering Vds 150V
	Kapseltyp TO-263
	Serie HEXFET
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 42mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 26nC
	Maximal effektförlust Pd 144W
	Framåtriktad spänning Vf 1.3V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs -20, +20V
	Maximal arbetstemperatur 175°C
	Standarder/godkännanden No
	Höjd 4.83mm
	Bredd 9.65mm
	Längd 10.67mm
	Fordonsstandard Nej

COO (ursprungsland):: CN

Infineon HEXFET-serien MOSFET, 150 V maximal drain-källspänning, 33 A maximal kontinuerlig drain-ström – IRFS4615TRLPBF

Denna MOSFET är en högspänningstransistor med N-kanal-förstärkningsläge som är utformad för strömomkoppling i ytmonterade enheter. Den fungerar i ett brett temperaturområde och är lämplig för krävande termiska miljöer samtidigt som den ger kontrollerad grinddriven omkoppling för tillämpningar med medelhög till hög ström.

Funktioner och fördelar:

• 150 V drain-source-motstånd möjliggör högspänningsomkopplingsförmåga
• 33 A kontinuerlig dräneringsström stöder betydande belastningsströmmar
• 42 mΩ RDS(on) minimerar ledningsförluster vid hög belastning
• 26 nC typisk grindladdning möjliggör förutsägbara drivkraven
• Maximal effektförlust på 144 W hanterar höga effektnivåer
• Gränsen för 20 V gate-source skyddar mot överdriven gate-belastning

Användningsområden

• Lämplig för DC/DC-omvandlare i industriella nätaggregat
• Idealisk för motordrivningssteg som kräver hög ström
• Används med batterihanteringssystem som behöver högspänningsswitchning
• Kan användas för synkronlikriktelse vid strömomvandling
• Lämplig för högeffektsmoduler i tuffa miljöer

Vilka termiska gränser styr långvarig drift?

Enheten är specifik för att fungera från -55 °C upp till 175 °C, vilket möjliggör användning i högtemperatursystem där förhöjda kopplingstemperaturer förväntas.

Vilken kapsling och monteringsstil kräver den?

Den levereras i en TO-263-förpackning avsedd för ytmontering på lämpliga kopparområdesjordmönster för värmeavledning.

Hur påverkar grindladdningen valet av drivare?

Med en typisk total grindladdning på 26 nC bör konstruktörer välja drivare som kan leverera den önskade laddningen inom målomkopplingstiden för att begränsa övergångsförluster.

Vilka spänningsbegränsningar gäller för grind och drain?

Den maximala tillåtna gate-to-source-spänningen är 20 V medan den nominella drain-to-source-spänningen är 150 V, vilket definierar säkra driftsgränser för gate-drivning och belastningstransienter.