Infineon N Kanal, MOSFET, 9.4 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 827-4035
- Tillv. art.nr:
- IRFR120NTRLPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 20 enheter)*
333,32 kr
(exkl. moms)
416,64 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Dessutom levereras 20 enhet(er) från den 19 oktober 2026
- Sista 60 enhet(er) levereras från den 26 oktober 2026
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | 16,666 kr | 333,32 kr |
| 200 - 480 | 12,998 kr | 259,96 kr |
| 500 - 980 | 12,163 kr | 243,26 kr |
| 1000 - 1980 | 11,329 kr | 226,58 kr |
| 2000 + | 10,495 kr | 209,90 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 827-4035
- Tillv. art.nr:
- IRFR120NTRLPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 9.4A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 210mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 48W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 25nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | Lead-Free | |
| Bredd | 6.22mm | |
| Höjd | 2.39mm | |
| Längd | 6.73mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 9.4A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 210mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 48W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 25nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden Lead-Free | ||
Bredd 6.22mm | ||
Höjd 2.39mm | ||
Längd 6.73mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
N-kanals effekt-MOSFET 100V, Infineon
Infineons sortiment av diskreta HEXFET® power MOSFETs omfattar N-kanals enheter i ytmonterade och blyade kapslingar. Och formfaktorer som kan hantera nästan alla utmaningar när det gäller kortlayout och termisk design. Hela sortimentets riktmärke för motstånd minskar ledningsförlusterna, vilket gör det möjligt för konstruktörerna att leverera optimal systemeffektivitet.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 9.4 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 9.4 A 100 V, TO-252, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 9.4 A 100 V Förbättring, 3 Ben, IPAK, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 63 A 100 V Förbättring, TO-252, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 33 A 150 V Förbättring, TO-252, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 180 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 71 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 8.7 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET