Infineon N Kanal, MOSFET, 30 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 827-4004
- Distrelec artikelnummer:
- 304-36-390
- Tillv. art.nr:
- IRFP250MPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
163,30 kr
(exkl. moms)
204,10 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 160 enhet(er), redo att levereras från en annan plats
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 32,66 kr | 163,30 kr |
| 25 - 45 | 28,09 kr | 140,45 kr |
| 50 - 120 | 26,164 kr | 130,82 kr |
| 125 - 245 | 24,192 kr | 120,96 kr |
| 250 + | 14,694 kr | 73,47 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 827-4004
- Distrelec artikelnummer:
- 304-36-390
- Tillv. art.nr:
- IRFP250MPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 30A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 200V | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 75mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 214W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 123nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 21.1mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 5.2mm | |
| Längd | 16.13mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 30A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 200V | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 75mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Maximal effektförlust Pd 214W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 123nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 21.1mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 5.2mm | ||
Längd 16.13mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
MOSFET i Infineons HEXFET-serie, 30 A maximal kontinuerlig dräneringsström, 214 W maximal effektförlust - IRFP250MPBF
Denna N-kanaliga MOSFET är konstruerad för hög prestanda och effektivitet i en mängd olika applikationer. Den har en maximal kontinuerlig dräneringsström på 30 A och en dräneringskällspänning på 200 V, vilket gör den lämplig för uppgifter inom automations- och elektroniksektorerna. Designen säkerställer effektiv termisk prestanda, vilket förbättrar användningen inom elektriska och mekaniska industrier.
Funktioner & fördelar
• Dynamisk dv/dt-klassificering säkerställer stabilitet under drift
• Förbättrade termiska egenskaper, med en driftstemperatur på upp till 175°C
• Låg on-resistans minskar effektförlusterna
• Helt lavinklassad, vilket ger skydd mot överspänning
• Enkla drivkrav för enklare integrering i konstruktioner
Användningsområden
• Lämplig för högfrekvent omkoppling
• Idealisk för strömförsörjning och omformare
• Användbar i motorstyrsystem och industriella frekvensomriktare
• Används i system för förnybar energi, t.ex. solcellsväxelriktare
Hur hanteras värmeprestanda i krävande miljöer?
De termiska motståndsegenskaperna är utformade för effektiv värmeavledning, vilket möjliggör drift från -55°C till +175°C.
Vilka är konsekvenserna av den låga Rds(on)?
Den låga on-resistansen ger lägre effektförlust under ledning, vilket förbättrar systemets totala effektivitet och minskar den termiska belastningen på komponenterna.
Kan den här enheten användas för parallella konfigurationer?
Ja, designen underlättar parallellkoppling, ökar strömkapaciteten och förbättrar den termiska prestandan i högeffektsapplikationer.
Vad bör man tänka på när man väljer gate drive-spänning?
En gate drive-spänning mellan 2 V och 4 V är optimal för att säkerställa tillräcklig switchprestanda och förhindra oönskad drift.
Vilka åtgärder har vidtagits för att skydda mot överspänning?
MOSFET:en är helt lavinklassad, vilket skyddar mot övergående överspänningar och säkerställer tillförlitlig drift under varierande förhållanden.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 30 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 483 A 100 V Förbättring, TO-247, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 186 A 150 V Förbättring, TO-247, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 224 A 150 V Förbättring, TO-247, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 50 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 42 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 160 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 209 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HEXFET