Infineon N Kanal, MOSFET, 7.3 A 100 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 165-5712
- Tillv. art.nr:
- IRF7495TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 4000 enheter)*
21 712,00 kr
(exkl. moms)
27 140,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 22 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 4000 + | 5,428 kr | 21 712,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 165-5712
- Tillv. art.nr:
- IRF7495TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 7.3A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 22mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 2.5W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 34nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 4mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 5mm | |
| Höjd | 1.5mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 7.3A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 22mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 2.5W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 34nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 4mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 5mm | ||
Höjd 1.5mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- TH
N-kanals effekt-MOSFET 100V, Infineon
Infineons sortiment av diskreta HEXFET® power MOSFETs omfattar N-kanals enheter i ytmonterade och blyade kapslingar. Och formfaktorer som kan hantera nästan alla utmaningar när det gäller kortlayout och termisk design. Hela sortimentets riktmärke för motstånd minskar ledningsförlusterna, vilket gör det möjligt för konstruktörerna att leverera optimal systemeffektivitet.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 7.3 A 100 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, HEXFET
- Infineon 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 7.3 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 13.6 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 9.3 A 80 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 20 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 2.4 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 24 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 18 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, HEXFET