Sök efter MPN

DiodesZetex 2 Typ P Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 3.1 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC

RS-artikelnummer:: 827-0490
Tillv. art.nr:: DMP3085LSD-13
Tillverkare / varumärke:: DiodesZetex

DiodesZetex 2 Typ P Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 3.1 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC

Mängdrabatt möjlig

Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 50 enheter)*

110,75 kr

(exkl. moms)

138,45 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

Dessutom levereras 150 enhet(er) från den 31 augusti 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per förpackning*
50 - 450	2,215 kr	110,75 kr
500 - 1200	1,306 kr	65,30 kr
1250 +	0,986 kr	49,30 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 827-0490
Tillv. art.nr:: DMP3085LSD-13
Tillverkare / varumärke:: DiodesZetex

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	DiodesZetex
	Kanaltyp	Typ P
	Produkttyp	Effekt-MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	3.1A
	Maximal källspänning för dränering Vds	30V
	Kapseltyp	SOIC
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	95mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Maximal effektförlust Pd	1.7W
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	5.2nC
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Framåtriktad spänning Vf	-0.7V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Transistorkonfiguration	Isolerad
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Standarder/godkännanden	MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101, UL 94V-0, J-STD-020
	Bredd	3.95mm
	Höjd	1.5mm
	Längd	4.95mm
	Antal element per chip	2
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke DiodesZetex
	Kanaltyp Typ P
	Produkttyp Effekt-MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 3.1A
	Maximal källspänning för dränering Vds 30V
	Kapseltyp SOIC
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 95mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Maximal effektförlust Pd 1.7W
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 5.2nC
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Framåtriktad spänning Vf -0.7V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Transistorkonfiguration Isolerad
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Standarder/godkännanden MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101, UL 94V-0, J-STD-020
	Bredd 3.95mm
	Höjd 1.5mm
	Längd 4.95mm
	Antal element per chip 2
	Fordonsstandard Nej

Dubbel P-kanal MOSFET, Diodes Inc.

MOSFET-transistorer, inbyggda dioder

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.