Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 2.3 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, OptiMOS 2 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 827-0109
- Distrelec artikelnummer:
- 304-44-429
- Tillv. art.nr:
- BSS806NEH6327XTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 250 enheter)*
369,50 kr
(exkl. moms)
462,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 10 250 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 250 + | 1,478 kr | 369,50 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 827-0109
- Distrelec artikelnummer:
- 304-44-429
- Tillv. art.nr:
- BSS806NEH6327XTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 2.3A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Serie | OptiMOS 2 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 82mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.82V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 1.7nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 500mW | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1mm | |
| Längd | 2.9mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 2.3A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Serie OptiMOS 2 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 82mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.82V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 1.7nC | ||
Maximal effektförlust Pd 500mW | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1mm | ||
Längd 2.9mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS™2 Power MOSFET-familj
Infineons OptiMOS™2 N-Channel-familjen erbjuder branschens lägsta on-state-resistans inom sin spänningsgrupp. Power MOSFET-serien kan användas i många applikationer, t.ex. högfrekvent telekom, datakom, solenergi, lågspänningsdrift och strömförsörjning för servrar. Anoden OptiMOS 2 produktfamiljen sträcker sig från 20V och uppåt och erbjuder ett urval av olika kapslingstyper.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 2.3 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, OptiMOS 2 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 190 mA 100 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 540 mA 55 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 1.6 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, OptiMOS P AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 1.4 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, OptiMOS 2 AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 1.18 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, OptiMOS P AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 2.5 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, OptiMOS 2 AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 1.5 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, OptiMOS P AEC-Q101