Infineon N Kanal, MOSFET, 2.3 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, OptiMOS 2 AEC-Q101

RS-artikelnummer:: 827-0109
Distrelec artikelnummer:: 304-44-429
Tillv. art.nr:: BSS806NEH6327XTSA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 2.3 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, OptiMOS 2 AEC-Q101

Antal (250 enheter, på en rulle med 250)*

507,75 kr

(exkl. moms)

634,75 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

Dessutom levereras 10 250 enhet(er) från den 25 september 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
250 +	2,031 kr	507,75 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 827-0109
Distrelec artikelnummer:: 304-44-429
Tillv. art.nr:: BSS806NEH6327XTSA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Kanaltyp	N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	2.3A
	Maximal källspänning för dränering Vds	20V
	Serie	OptiMOS 2
	Kapseltyp	SOT-23
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	82mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Framåtriktad spänning Vf	0.82V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	1.7nC
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	-8, +8V
	Maximal effektförlust Pd	500mW
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Bredd	1.3mm
	Standarder/godkännanden	No
	Längd	2.9mm
	Höjd	1mm
	Fordonsstandard	AEC-Q101

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Kanaltyp N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 2.3A
	Maximal källspänning för dränering Vds 20V
	Serie OptiMOS 2
	Kapseltyp SOT-23
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 82mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Framåtriktad spänning Vf 0.82V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 1.7nC
	Maximal spänning för grindkälla Vgs -8, +8V
	Maximal effektförlust Pd 500mW
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Bredd 1.3mm
	Standarder/godkännanden No
	Längd 2.9mm
	Höjd 1mm
	Fordonsstandard AEC-Q101

Infineon OptiMOS 2-serien MOSFET, 20 V maximal drain-källspänning, 2,3 A maximal kontinuerlig drain-ström – BSS806NEH6327XTSA1

Denna MOSFET är en N-kanalförstärkningsenhet med liten signal som är utformad för ytmonteringstillämpningar där kompakt omkopplingsprestanda krävs. Den är lämplig för användning i lågspänningseffektsteg och styrkretsar över ett brett temperaturområde, och erbjuder funktionalitet som stöder både konsument- och fordonselektronikmiljöer.

Funktioner och fördelar:

• Låg påslagningsresistans på 82 mΩ minskar ledningsförluster och värme
• 20 V drain-source-klassning möjliggör säker omkoppling vid låg spänning
• 2,3 A kontinuerlig ström stöder måttliga belastningsströmmar
• 1,7 nC gate-laddning möjliggör snabba gate-drivkretsövergångar
• Effektförlust på 500 mW begränsar termisk påfrestning i trånga utrymmen
• Gate-tolerans upp till 8 V för flexibla drivspänningar

Användningsområden

• Passar för batterihantering och strömfördelningsmoduler
• Idealisk för DC/DC-omvandlare i kompakta enheter
• Används med mikrostyrenhetsutgångar för lågspänningsomkoppling
• Kan användas för lastomkoppling i fordonselektronik
• Används för styrning av signalnivå i inbäddade system

Vilken kapsling och monteringsstil använder den?

Den levereras i ett SOT-23-paket utformat för ytmontering för att spara utrymme på kortet och förenkla automatiserad placering.

Vilka temperaturförhållanden tål den under drift?

Den fungerar över ett brett termiskt intervall från -55 °C upp till 150 °C för att passa tuffa miljöer och förhöjda kopplingstemperaturer.

Hur många stift finns tillgängliga och vilken kanaltyp är det?

Det finns tre stift och enheten använder en N-kanals ledningsväg konfigurerad i förstärkningsläge.

Vad är typisk framåt-/bulkdiodkaraktäristik?

Enheten uppvisar en framåtvänd spänning på 0,82 V över sin inneboende diod under typiska ledningsförhållanden.