Infineon N Kanal, MOSFET, 280 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SC-70, SIPMOS AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 826-9282
- Tillv. art.nr:
- BSS138WH6433XTMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Få en mängdrabatt
Lägg till 1000 till för att spara 305,00 kr
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rulle med 500 enheter)*
525,00 kr
(exkl. moms)
655,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 02 september 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 500 - 500 | 1,05 kr | 525,00 kr | - |
| 1000 - 2000 | 0,745 kr | 372,50 kr | 305,00 kr |
| 2500 - 4500 | 0,692 kr | 346,00 kr | 895,00 kr |
| 5000 - 12000 | 0,651 kr | 325,50 kr | 1 995,00 kr |
| 12500 + | 0,525 kr | 262,50 kr | 6 562,50 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 826-9282
- Tillv. art.nr:
- BSS138WH6433XTMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 280mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | SC-70 | |
| Serie | SIPMOS | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 3.5Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 1nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 500mW | |
| Framåtriktad spänning Vf | 850mV | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 2mm | |
| Bredd | 1.25mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 800μm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 280mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp SC-70 | ||
Serie SIPMOS | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 3.5Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 1nC | ||
Maximal effektförlust Pd 500mW | ||
Framåtriktad spänning Vf 850mV | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 2mm | ||
Bredd 1.25mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 800μm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineon SIPMOS® N-kanaliga MOSFET:ar
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 280 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SC-70, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 150 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SC-70, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 620 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SC-59, SIPMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 1.5 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SC-70, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 1.4 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SC-70, OptiMOS 2 AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 310 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SC-70, OptiMOS P AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 350 mA 240 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 230 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, SIPMOS AEC-Q101