Sök efter MPN

Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 280 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SC-70, SIPMOS AEC-Q101

RS-artikelnummer:: 826-9282
Tillv. art.nr:: BSS138WH6433XTMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 280 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SC-70, SIPMOS AEC-Q101

Mängdrabatt möjlig

Visa alternativ för volympriser

Antal (1 rulle med 500 enheter)*

525,00 kr

(exkl. moms)

655,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 19 januari 2027

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
500 - 500	1,05 kr	525,00 kr
1000 - 2000	0,745 kr	372,50 kr
2500 - 4500	0,692 kr	346,00 kr
5000 - 12000	0,651 kr	325,50 kr
12500 +	0,525 kr	262,50 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 826-9282
Tillv. art.nr:: BSS138WH6433XTMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Kanaltyp	Typ N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	280mA
	Maximal källspänning för dränering Vds	60V
	Serie	SIPMOS
	Kapseltyp	SC-70
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	3.5Ω
	Kanalläge	Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal effektförlust Pd	500mW
	Framåtriktad spänning Vf	0.85V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	1nC
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Bredd	1.25mm
	Standarder/godkännanden	No
	Höjd	0.8mm
	Längd	2mm
	Fordonsstandard	AEC-Q101

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Kanaltyp Typ N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 280mA
	Maximal källspänning för dränering Vds 60V
	Serie SIPMOS
	Kapseltyp SC-70
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 3.5Ω
	Kanalläge Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal effektförlust Pd 500mW
	Framåtriktad spänning Vf 0.85V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 1nC
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Bredd 1.25mm
	Standarder/godkännanden No
	Höjd 0.8mm
	Längd 2mm
	Fordonsstandard AEC-Q101

Infineon SIPMOS® N-kanaliga MOSFET:ar

MOSFET-transistorer, Infineon

Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.