Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 40 A 30 V Förbättring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS P
- RS-artikelnummer:
- 825-9134
- Tillv. art.nr:
- BSZ086P03NS3EGATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 20 enheter)*
131,94 kr
(exkl. moms)
164,92 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 15 februari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | 6,597 kr | 131,94 kr |
| 100 - 180 | 5,079 kr | 101,58 kr |
| 200 - 480 | 4,749 kr | 94,98 kr |
| 500 - 980 | 4,424 kr | 88,48 kr |
| 1000 + | 4,094 kr | 81,88 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 825-9134
- Tillv. art.nr:
- BSZ086P03NS3EGATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 40A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Serie | OptiMOS P | |
| Kapseltyp | TSDSON | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 13.4mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 25V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 43.2nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 69W | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.1V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 3.4mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 3.4mm | |
| Höjd | 1.1mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 40A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Serie OptiMOS P | ||
Kapseltyp TSDSON | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 13.4mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 25V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 43.2nC | ||
Maximal effektförlust Pd 69W | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.1V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 3.4mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 3.4mm | ||
Höjd 1.1mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
RoHS-status: Inte relevant
Infineon OptiMOS P-serien MOSFET, 30 V maximal drain-källspänning, 40 A maximal kontinuerlig drain-ström – BSZ086P03NS3EGATMA1
Denna MOSFET är en P-kanalförstärkningsenhet som är utformad för högströmsomkoppling i kompakta ytmonterade enheter. Den fungerar över ett brett temperaturområde som är lämpligt för krävande elektroniska miljöer och är konstruerad för att hantera betydande avtappningsströmmar och effektförlust. Kapseln är en 8-stifts TSDSON med låg profil för effektiv kretskortsmontering och termiska prestanda.
Funktioner och fördelar:
• Låg påslagningsresistans minskar ledningsförluster vid höga strömmar
• Kontinuerlig dräneringsström på 40 A stöder omkoppling av tung belastning
• Maximal effektförlust på 69 W möjliggör högre effekthantering
• 43.2 nC typisk grindladdning balanserar omkopplingshastighet och drivkraft
• 25 V gate-tolerans möjliggör robusta gate-drivmarginaler
• 30 V drain‐source-klassning passar systemkonstruktioner med måttlig spänning
• Kontinuerlig dräneringsström på 40 A stöder omkoppling av tung belastning
• Maximal effektförlust på 69 W möjliggör högre effekthantering
• 43.2 nC typisk grindladdning balanserar omkopplingshastighet och drivkraft
• 25 V gate-tolerans möjliggör robusta gate-drivmarginaler
• 30 V drain‐source-klassning passar systemkonstruktioner med måttlig spänning
Användningsområden
• Passar för effektomvandlingsmoduler vid belastningspunkt
• Idealisk för synkrona buck-omvandlaromkopplare
• Används med batterihanteringskretsar i kraftsystem
• Kan användas för styrning av motordrivare på låg sida/strömvägar
• Lämplig för telekom- och serverströmskenor
• Idealisk för synkrona buck-omvandlaromkopplare
• Används med batterihanteringskretsar i kraftsystem
• Kan användas för styrning av motordrivare på låg sida/strömvägar
• Lämplig för telekom- och serverströmskenor
Vilka termiska extremer tål den under drift?
Den är specifik för drift från -55 °C upp till 150 °C, och passar breda variationer i omgivning och koppling.
Hur många stift och vilken monteringsmetod används?
Enheten använder ett 8-stifts fotavtryck och är avsedd för ytmontering i en TSDSON-kapsel.
Vilka elektriska egenskaper begränsar ledningsförluster?
Enhetens maximala drain‐source-resistans är 13,4 mΩ, vilket styr spänningsfall och effektivitet i påläge.
Vilka grindstyrningsöverväganden är relevanta för omkopplingsdesign?
Med en typisk grindladdning på 43,2 nC och en maximal grind-källklassning på 25 V måste drivkretsen leverera tillräcklig laddning samtidigt som spänningen ligger inom gränserna.
Relaterade länkar
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 40 A 30 V Förbättring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS P
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 39.6 A 30 V Förbättring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS P3
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -19.5 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PG-TSDSON-8FL, OptiMOS Power Transistor
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 126 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 30 V Förbättring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 25 V Förbättring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 40 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS