Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 40 A 30 V Förbättring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS P

RS-artikelnummer:: 165-6879
Tillv. art.nr:: BSZ086P03NS3EGATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 40 A 30 V Förbättring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS P

Antal (1 rulle med 5000 enheter)*

16 735,00 kr

(exkl. moms)

20 920,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 15 februari 2027

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
5000 +	3,347 kr	16 735,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 165-6879
Tillv. art.nr:: BSZ086P03NS3EGATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	Typ P
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	40A
	Maximal källspänning för dränering Vds	30V
	Kapseltyp	TSDSON
	Serie	OptiMOS P
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	13.4mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	43.2nC
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal effektförlust Pd	69W
	Framåtriktad spänning Vf	-1.1V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	25V
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Bredd	3.4mm
	Standarder/godkännanden	No
	Höjd	1.1mm
	Längd	3.4mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp Typ P
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 40A
	Maximal källspänning för dränering Vds 30V
	Kapseltyp TSDSON
	Serie OptiMOS P
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 13.4mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 43.2nC
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal effektförlust Pd 69W
	Framåtriktad spänning Vf -1.1V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 25V
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Bredd 3.4mm
	Standarder/godkännanden No
	Höjd 1.1mm
	Längd 3.4mm
	Fordonsstandard Nej

RoHS-status: Inte relevant

COO (ursprungsland):: CN

Infineon OptiMOS P-serien MOSFET, 30 V maximal drain-källspänning, 40 A maximal kontinuerlig drain-ström – BSZ086P03NS3EGATMA1

Denna MOSFET är en P-kanalförstärkningsenhet som är utformad för högströmsomkoppling i kompakta ytmonterade enheter. Den fungerar över ett brett temperaturområde som är lämpligt för krävande elektroniska miljöer och är konstruerad för att hantera betydande avtappningsströmmar och effektförlust. Kapseln är en 8-stifts TSDSON med låg profil för effektiv kretskortsmontering och termiska prestanda.

Funktioner och fördelar:

• Låg påslagningsresistans minskar ledningsförluster vid höga strömmar
• Kontinuerlig dräneringsström på 40 A stöder omkoppling av tung belastning
• Maximal effektförlust på 69 W möjliggör högre effekthantering
• 43.2 nC typisk grindladdning balanserar omkopplingshastighet och drivkraft
• 25 V gate-tolerans möjliggör robusta gate-drivmarginaler
• 30 V drain‐source-klassning passar systemkonstruktioner med måttlig spänning

Användningsområden

• Passar för effektomvandlingsmoduler vid belastningspunkt
• Idealisk för synkrona buck-omvandlaromkopplare
• Används med batterihanteringskretsar i kraftsystem
• Kan användas för styrning av motordrivare på låg sida/strömvägar
• Lämplig för telekom- och serverströmskenor

Vilka termiska extremer tål den under drift?

Den är specifik för drift från -55 °C upp till 150 °C, och passar breda variationer i omgivning och koppling.

Hur många stift och vilken monteringsmetod används?

Enheten använder ett 8-stifts fotavtryck och är avsedd för ytmontering i en TSDSON-kapsel.

Vilka elektriska egenskaper begränsar ledningsförluster?

Enhetens maximala drain‐source-resistans är 13,4 mΩ, vilket styr spänningsfall och effektivitet i påläge.

Vilka grindstyrningsöverväganden är relevanta för omkopplingsdesign?

Med en typisk grindladdning på 43,2 nC och en maximal grind-källklassning på 25 V måste drivkretsen leverera tillräcklig laddning samtidigt som spänningen ligger inom gränserna.