Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 50 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS
- RS-artikelnummer:
- 223-8518
- Tillv. art.nr:
- IPD50N06S409ATMA2
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 15 enheter)*
194,775 kr
(exkl. moms)
243,465 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 19 770 enhet(er) från den 24 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | 12,985 kr | 194,78 kr |
| 75 - 135 | 12,335 kr | 185,03 kr |
| 150 - 360 | 11,82 kr | 177,30 kr |
| 375 - 735 | 11,297 kr | 169,46 kr |
| 750 + | 10,521 kr | 157,82 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 223-8518
- Tillv. art.nr:
- IPD50N06S409ATMA2
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 50A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 9mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.95V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 17nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 71W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 50A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Serie OptiMOS | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 9mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.95V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 17nC | ||
Maximal effektförlust Pd 71W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon OptiMOS-serien N-kanal MOSFET i DPAK-paket har dränerings-till-källspänning på 60 V. Den har fördelar med högsta strömkapacitet, lägsta omkopplings- och ledningseffektförluster för högsta termiska effektivitet och robusta paket med överlägsen kvalitet och tillförlitlighet.
Godkänd enligt AEC Q101 för fordon
MSL1 upp till 260 °C topp omsmältning
175 °C drifttemperatur
Grön förpackning
Ultralåg Rds
100 % avalanche-testad
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 50 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 25 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS-T2
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS-T2
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 90 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS 5
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 45 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS 5
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 90 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS-T2
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 60 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS AEC-Q101