DiodesZetex 4 Typ P, Typ N Kanal Helbrygga, MOSFET, 7.8 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 823-3211
- Tillv. art.nr:
- DMHC3025LSD-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Antal (1 förpackning med 10 enheter)*
75,80 kr
(exkl. moms)
94,80 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 270 enhet(er) är redo att levereras
- Dessutom levereras 24 040 enhet(er) från den 11 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 + | 7,58 kr | 75,80 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 823-3211
- Tillv. art.nr:
- DMHC3025LSD-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Kanaltyp | Typ P, Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 7.8A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 80mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 5.4nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.7V | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.5W | |
| Transistorkonfiguration | Helbrygga | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 4.95mm | |
| Höjd | 1.5mm | |
| Standarder/godkännanden | UL 94V-0, MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101, J-STD-020 | |
| Bredd | 3.95mm | |
| Antal element per chip | 4 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Kanaltyp Typ P, Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 7.8A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 80mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 5.4nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.7V | ||
Maximal effektförlust Pd 1.5W | ||
Transistorkonfiguration Helbrygga | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 4.95mm | ||
Höjd 1.5mm | ||
Standarder/godkännanden UL 94V-0, MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101, J-STD-020 | ||
Bredd 3.95mm | ||
Antal element per chip 4 | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Kompletterande förstärkningsläge MOSFET H-brygga, Diodes Inc.
MOSFET-transistorer, inbyggda dioder
Relaterade länkar
- DiodesZetex 4 Typ P, Typ N Kanal Helbrygga, MOSFET, 7.8 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC AEC-Q101
- DiodesZetex 4 Typ P, Typ N Kanal Helbrygga, MOSFET, 850 mA 100 V Förbättring, 8 Ben, SOIC
- DiodesZetex 4 Typ P, Typ N Kanal Helbrygga, Effekt-MOSFET, 4.98 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC
- DiodesZetex 4 Typ N, Typ P Kanal Helbrygga, Effekt-MOSFET, 1.8 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 11.4 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOIC AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 160 mA 12 V Förbättring, 8 Ben, SOIC AEC-Q101
- DiodesZetex 4 Typ N, Typ P Kanal Helbrygga, Effekt-MOSFET, 1.8 A 60 V Förbättring, 8 Ben
- DiodesZetex 4 Typ P, Typ N Kanal Helbrygga, Effekt-MOSFET, 3.1 A 30 V Förbättring, 8 Ben