DiodesZetex 4 Typ N, Typ P Kanal Helbrygga, Effekt-MOSFET, 1.8 A 60 V Förbättring, 8 Ben
- RS-artikelnummer:
- 669-7461
- Tillv. art.nr:
- ZXMHC6A07T8TA
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Antal (1 förpackning med 2 enheter)*
43,63 kr
(exkl. moms)
54,538 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
- Dessutom levereras 4 enhet(er) från den 24 augusti 2026
- Dessutom levereras 1 196 enhet(er) från den 31 augusti 2026
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 21,815 kr | 43,63 kr |
| 10 - 48 | 18,50 kr | 37,00 kr |
| 50 - 248 | 17,825 kr | 35,65 kr |
| 250 - 498 | 14,705 kr | 29,41 kr |
| 500 + | 13,505 kr | 27,01 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 669-7461
- Tillv. art.nr:
- ZXMHC6A07T8TA
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N, Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 1.8A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 425mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.85V | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.7W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 3.2nC | |
| Transistorkonfiguration | Helbrygga | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 6.7mm | |
| Höjd | 1.6mm | |
| Standarder/godkännanden | J-STD-020, RoHS, AEC-Q101, MIL-STD-202, UL 94V-0 | |
| Antal element per chip | 4 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N, Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 1.8A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 425mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.85V | ||
Maximal effektförlust Pd 1.7W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 3.2nC | ||
Transistorkonfiguration Helbrygga | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 6.7mm | ||
Höjd 1.6mm | ||
Standarder/godkännanden J-STD-020, RoHS, AEC-Q101, MIL-STD-202, UL 94V-0 | ||
Antal element per chip 4 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- DE
Kompletterande förstärkningsläge MOSFET H-brygga, Diodes Inc.
MOSFET-transistorer, inbyggda dioder
Relaterade länkar
- DiodesZetex 4 Typ N, Typ P Kanal Helbrygga, Effekt-MOSFET, 1.8 A 60 V Förbättring, 8 Ben
- DiodesZetex 4 Typ N, Typ P Kanal Helbrygga, Effekt-MOSFET, 1.8 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC
- DiodesZetex 4 Typ P, Typ N Kanal Helbrygga, Effekt-MOSFET, 3.1 A 30 V Förbättring, 8 Ben
- DiodesZetex 4 Typ P, Typ N Kanal Helbrygga, Effekt-MOSFET, 4.98 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC
- DiodesZetex 4 Typ P, Typ N Kanal Helbrygga, MOSFET, 850 mA 100 V Förbättring, 8 Ben, SOIC
- DiodesZetex 4 Typ P, Typ N Kanal Helbrygga, MOSFET, 7.8 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC AEC-Q101
- Vishay Typ P Kanal, Effekt-MOSFET, -1.8 A -400 V Förbättring, 3 Ben, IPAK, IRFU9310
- Vishay Typ P Kanal, Effekt-MOSFET, -1.8 A -60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, IRFL9014
