DiodesZetex 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 620 mA 60 V Förbättring, 6 Ben, SOT-563 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 822-2523
- Tillv. art.nr:
- DMG1029SV-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Antal (1 förpackning med 50 enheter)*
154,85 kr
(exkl. moms)
193,55 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 28 100 enhet(er) från den 14 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 50 + | 3,097 kr | 154,85 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 822-2523
- Tillv. art.nr:
- DMG1029SV-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Kanaltyp | Typ P, Typ N | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 620mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | SOT-563 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 6 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 6Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 1W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 0.3nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.4V | |
| Transistorkonfiguration | Isolerad | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 1.25mm | |
| Längd | 1.7mm | |
| Höjd | 0.6mm | |
| Standarder/godkännanden | J-STD-020, MIL-STD-202, AEC-Q101, RoHS, UL 94V-0 | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Kanaltyp Typ P, Typ N | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 620mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp SOT-563 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 6 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 6Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 1W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 0.3nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.4V | ||
Transistorkonfiguration Isolerad | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 1.25mm | ||
Längd 1.7mm | ||
Höjd 0.6mm | ||
Standarder/godkännanden J-STD-020, MIL-STD-202, AEC-Q101, RoHS, UL 94V-0 | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Dubbel N/P-kanal MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET-transistorer, inbyggda dioder
Relaterade länkar
- DiodesZetex 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 620 mA 60 V Förbättring, 6 Ben, SOT-563 AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 260 mA 30 V Förbättring, 6 Ben, SOT-563 AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 280 mA 60 V Förbättring, 6 Ben, SOT-563 AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 1.38 A 20 V Förbättring, 6 Ben, SOT-563 AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ N, Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 700 mA 20 V Förbättring, 6 Ben, SOT-563 AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200
- DiodesZetex 2 Typ N, Typ P Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 4.5 A 30 V Förbättring, 6 Ben, TSOT AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ N, Typ P Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 5.2 A 20 V Förbättring, 6 Ben, TSOT AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ N, Typ P Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 3.4 A 30 V Förbättring, 6 Ben, TSOT AEC-Q101