Vishay N Kanal, MOSFET, 5.1 A 20 V Förbättring, 6 Ben, SC-75, SiB406EDK
- RS-artikelnummer:
- 814-1247
- Tillv. art.nr:
- SIB406EDK-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 20 enheter)*
104,84 kr
(exkl. moms)
131,04 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 24 juni 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | 5,242 kr | 104,84 kr |
| 200 - 480 | 4,032 kr | 80,64 kr |
| 500 - 980 | 3,668 kr | 73,36 kr |
| 1000 - 1980 | 3,147 kr | 62,94 kr |
| 2000 + | 2,828 kr | 56,56 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 814-1247
- Tillv. art.nr:
- SIB406EDK-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 5.1A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Kapseltyp | SC-75 | |
| Serie | SiB406EDK | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 6 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 63mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 12V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.8V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 7.5nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 10W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 1.7mm | |
| Höjd | 0.8mm | |
| Bredd | 1.7mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 5.1A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Kapseltyp SC-75 | ||
Serie SiB406EDK | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 6 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 63mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 12V | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.8V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 7.5nC | ||
Maximal effektförlust Pd 10W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 1.7mm | ||
Höjd 0.8mm | ||
Bredd 1.7mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
N-kanal MOSFET, 8 V till 25 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterade länkar
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 5.1 A 20 V Förbättring, 6 Ben, SC-75, SiB406EDK
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 210 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SC-75, TrenchFET
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 630 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SC-75, Si1012CR
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 6 A 6 V, PowerPAK SC-75, SIB
- Vishay P-kanal Kanal, MOSFET, -36 A -20 V Förbättring, 6 Ben, PowerPAK SC-70, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 760 mA 30 V Förbättring, 6 Ben, SC-89, Si1077X
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 30.3 A 30 V Förbättring, 6 Ben, SC-70, SiA471DJ
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 11.3 A 100 V Förbättring, 6 Ben, SC-70, ThunderFET