Vishay N Kanal, MOSFET, 630 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SC-75, Si1012CR

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 längd med 20 enheter)*

57,80 kr

(exkl. moms)

72,20 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 23 juni 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per tejp*
20 - 1802,89 kr57,80 kr
200 - 4802,016 kr40,32 kr
500 - 9801,792 kr35,84 kr
1000 - 19801,568 kr31,36 kr
2000 +1,535 kr30,70 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
787-9005
Tillv. art.nr:
SI1012CR-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

630mA

Maximal källspänning för dränering Vds

20V

Kapseltyp

SC-75

Serie

Si1012CR

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

1.1Ω

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

240mW

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

1.3nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

8V

Framåtriktad spänning Vf

0.8V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Bredd

0.86mm

Längd

1.68mm

Höjd

0.8mm

Fordonsstandard

Nej

N-kanal MOSFET, 8 V till 25 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.