Vishay N Kanal, MOSFET, 5.8 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, Si2366DS

RS-artikelnummer:: 812-3132
Tillv. art.nr:: SI2366DS-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Vishay N Kanal, MOSFET, 5.8 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, Si2366DS

Antal (1 förpackning med 20 enheter)*

71,42 kr

(exkl. moms)

89,28 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

320 enhet(er) är redo att levereras
Dessutom levereras 2 420 enhet(er) från den 13 oktober 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per förpackning*
20 +	3,571 kr	71,42 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 812-3132
Tillv. art.nr:: SI2366DS-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Vishay
	Kanaltyp	N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	5.8A
	Maximal källspänning för dränering Vds	30V
	Serie	Si2366DS
	Kapseltyp	SOT-23
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	42mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	-20V, +20V
	Framåtriktad spänning Vf	0.85V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	6.4nC
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal effektförlust Pd	2.1W
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Bredd	1.4mm
	Höjd	1.02mm
	Standarder/godkännanden	RoHS
	Längd	3.04mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Vishay
	Kanaltyp N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 5.8A
	Maximal källspänning för dränering Vds 30V
	Serie Si2366DS
	Kapseltyp SOT-23
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 42mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V
	Framåtriktad spänning Vf 0.85V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 6.4nC
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal effektförlust Pd 2.1W
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Bredd 1.4mm
	Höjd 1.02mm
	Standarder/godkännanden RoHS
	Längd 3.04mm
	Fordonsstandard Nej

COO (ursprungsland):: CN

Si2366DS-serien MOSFET från Vishay, 30 V maximal drain-källspänning, 5,8 A maximal kontinuerlig drain-ström – SI2366DS-T1-GE3

Denna MOSFET är en kompakt N-kanalförstärkningsenhet som är utformad för ytmonterad omkoppling i elektroniska lågspänningskretsar. Den fungerar i ett brett temperaturområde och är lämplig för strömhanteringsroller där effektiv ledning och måttlig omkoppling krävs. Förpackningen är en vanlig SOT-23-formfaktor för användning i tätt belägna monteringar.

Funktioner och fördelar:

• Maximal avtappningsspänning 30 V möjliggör omkoppling vid låg spänning
• Kontinuerlig avtappningsström 5.8 A för kontinuerlig strömhantering
• Låg Rds(on) på 42 mΩ minskar ledningsförlusterna
• Forward-spänning 0,85 V som stöder effektiva drivförhållanden
• Typisk grindladdning 6.4 nC möjliggör kontrollerad omkopplingsenergi
• Effektförlust på 2.1 W för tillämpningar med begränsad värme

Användningsområden

• Lämplig för USB-strömfördelning och lastväxling
• Idealisk för användning på utgångssteg i DC/DC-omvandlare
• Används med batterihantering och laddningskretsar
• Kan användas för lågsidig omkoppling av motordrivare
• Användbart i strömskeneskydd för konsumentelektronik

Vilket paket ska jag förvänta mig för automatiserad montering?

Den levereras i en SOT-23-förpackning för ytmontering som är kompatibel med vanliga pick-and-place- och omsmältningsprocesser.

Hur väl tål den tuffa termiska miljöer?

Klassad för drift från -55 °C upp till 150 °C, rymmer ett brett intervall av omgivnings- och förhöjda kopplingstemperaturer.

Vilken grindstyrningsamplitud är tillåten?

Enheten accepterar upp till ±20 V mellan grind och källa, vilket möjliggör ett brett utbud av drivspänningar inom den gränsen.

Hur många stift finns tillgängliga för routing av kretskortsavtryck?

Den använder en trepolig konfiguration som är typisk för småsignal-MOSFET, vilket förenklar layout och routing.