Vishay Enkel N Kanal, MOSFET, 1.15 A 100 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
787-9229
Tillv. art.nr:
SI2328DS-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Transistorkonfiguration

Enkel

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström (Id)

1.15 A

Maximal källspänning för dränering (Vds)

100 V

Kanalläge

Förbättring

Antal ben

3

Kapseltyp

SOT-23

Fordonsstandard

Nej

Framåtriktad spänning (Vf)

1.2 V

Höjd

1.02 mm

Längd

3.04 mm

Maximal drain-källresistans (Rds)

2.4 Ω

Maximal spänning för grindkälla (Vgs)

-20 V, +20 V

Maximal arbetstemperatur

150 °C

Maximal effektförlust (Pd)

1.25 W

Minsta arbetsstemperatur

-55 °C

Typ av fäste

Yta

Standarder/godkännanden

No

Typisk grindladdning (Qg) @ Vgs

1.45 nC

Bredd

1.4 mm

N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.