Vishay Enkel N Kanal, MOSFET, 1.15 A 100 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
787-9229
Tillv. art.nr:
SI2328DS-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

1.15A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Kapseltyp

SOT-23

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

2.4Ω

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

1.25W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

1.45nC

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Transistorkonfiguration

Enkel

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Bredd

1.4mm

Längd

3.04mm

Höjd

1.02mm

Fordonsstandard

Nej

N-kanal MOSFET, 100 V till 150 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.