STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 30 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, STripFET

För närvarande inte tillgänglig
Tyvärr, vi vet inte när detta kommer att finnas i lager igen.
RS-artikelnummer:
168-7891
Tillv. art.nr:
STB30NF20
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

30A

Maximal källspänning för dränering Vds

200V

Kapseltyp

TO-263

Serie

STripFET

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

75mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

125W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-20, +20V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

38nC

Framåtriktad spänning Vf

1.5V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

4.6mm

Bredd

9.35mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

10.4mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN

N-kanal STripFETTM, STMicroelectronics


MOSFET-transistorer, STMicroelectronics


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.