Sök efter MPN

STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 50 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, STripFET II

RS-artikelnummer:: 687-5197
Tillv. art.nr:: STB55NF06T4
Tillverkare / varumärke:: STMicroelectronics

STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 50 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, STripFET II

Mängdrabatt möjlig

Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

115,58 kr

(exkl. moms)

144,475 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

Dessutom levereras 5 enhet(er) från den 31 augusti 2026
Dessutom levereras 1 970 enhet(er) från den 07 september 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per förpackning*
5 - 45	23,116 kr	115,58 kr
50 - 245	13,57 kr	67,85 kr
250 - 495	9,57 kr	47,85 kr
500 +	7,466 kr	37,33 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 687-5197
Tillv. art.nr:: STB55NF06T4
Tillverkare / varumärke:: STMicroelectronics

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	STMicroelectronics
	Kanaltyp	Typ N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	50A
	Maximal källspänning för dränering Vds	60V
	Serie	STripFET II
	Kapseltyp	TO-263
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	18mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Maximal effektförlust Pd	110W
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	44.5nC
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Framåtriktad spänning Vf	1.5V
	Maximal arbetstemperatur	175°C
	Standarder/godkännanden	No
	Bredd	9.35mm
	Höjd	4.6mm
	Längd	10.4mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke STMicroelectronics
	Kanaltyp Typ N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 50A
	Maximal källspänning för dränering Vds 60V
	Serie STripFET II
	Kapseltyp TO-263
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 18mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Maximal effektförlust Pd 110W
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 44.5nC
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Framåtriktad spänning Vf 1.5V
	Maximal arbetstemperatur 175°C
	Standarder/godkännanden No
	Bredd 9.35mm
	Höjd 4.6mm
	Längd 10.4mm
	Fordonsstandard Nej

N-kanalig STripFET™ II, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs med ett brett genombrottsspänningsområde ger extremt låg grindladdning och låg på-resistans.

MOSFET-transistorer, STMicroelectronics

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.