onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 8.4 A 20 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, NTF6P02 AEC
- RS-artikelnummer:
- 808-4138
- Distrelec artikelnummer:
- 304-45-677
- Tillv. art.nr:
- NTF6P02T3G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (20 enheter, i en förpackning med 20)*
147,62 kr
(exkl. moms)
184,52 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 3 980 enhet(er) levereras från den 02 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | 7,381 kr | 147,62 kr |
| 200 - 480 | 6,356 kr | 127,12 kr |
| 500 + | 5,516 kr | 110,32 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 808-4138
- Distrelec artikelnummer:
- 304-45-677
- Tillv. art.nr:
- NTF6P02T3G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 8.4A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Kapseltyp | SOT-223 | |
| Serie | NTF6P02 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 70mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -8, +8V | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.2V | |
| Maximal effektförlust Pd | 8.3W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 15nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 1.65mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 6.7mm | |
| Bredd | 3.7mm | |
| Fordonsstandard | AEC | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 8.4A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Kapseltyp SOT-223 | ||
Serie NTF6P02 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 70mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -8, +8V | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.2V | ||
Maximal effektförlust Pd 8.3W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 15nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 1.65mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 6.7mm | ||
Bredd 3.7mm | ||
Fordonsstandard AEC | ||
P-kanalig effekt-MOSFET, 20V, ON Semiconductor
MOSFET-transistorer, ON Semiconductor
Relaterade länkar
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 8.4 A 20 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, NTF6P02 AEC
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 8.4 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, NVF6P02 AEC-Q101
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 2.6 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, NTF
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 5 A 30 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, NDT
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 3.4 A 30 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, PowerTrench
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 1 A 100 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, QFET
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 2.5 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, NDT
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 7.5 A 30 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, NDT
