onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 1 A 100 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, QFET
- RS-artikelnummer:
- 671-1068
- Tillv. art.nr:
- FQT5P10TF
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Få en mängdrabatt
Lägg till 50 till för att spara 59,40 kr
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
42,45 kr
(exkl. moms)
53,05 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 13 215 enhet(er) levereras från den 12 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 5 - 45 | 8,49 kr | 42,45 kr | - |
| 50 - 95 | 7,302 kr | 36,51 kr | 59,40 kr |
| 100 - 495 | 6,34 kr | 31,70 kr | 215,00 kr |
| 500 - 995 | 5,60 kr | 28,00 kr | 1 445,00 kr |
| 1000 + | 5,084 kr | 25,42 kr | 3 406,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 671-1068
- Tillv. art.nr:
- FQT5P10TF
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 1A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Serie | QFET | |
| Kapseltyp | SOT-223 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.05Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | -4V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 6.3nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 2W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -30V, +30V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 6.5mm | |
| Höjd | 1.6mm | |
| Bredd | 3.56mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 1A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Serie QFET | ||
Kapseltyp SOT-223 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.05Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf -4V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 6.3nC | ||
Maximal effektförlust Pd 2W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -30V, +30V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 6.5mm | ||
Höjd 1.6mm | ||
Bredd 3.56mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
QFET® MOSFET med P-kanal, Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductors nya plana QFET® MOSFETs använder avancerad, egenutvecklad teknik för att erbjuda förstklassig driftprestanda för ett brett spektrum av applikationer, inklusive strömförsörjning, PFC (Power Factor Correction), DC-DC-omvandlare, Plasma Display Panels (PDP), belysningsballaster och rörelsekontroll.
De ger minskad on-state-förlust genom lägre on-resistans (RDS(on)) och minskad switchförlust genom lägre grindladdning (Qg) och utgångskapacitans (Coss). Genom att använda avancerad QFET®-processteknik kan Fairchild erbjuda en förbättrad FOM (figure of merit) jämfört med konkurrerande plana MOSFET-enheter.
MOSFET-transistorer, ON Semi
ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.
ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.
Relaterade länkar
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 1 A 100 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, QFET
- onsemi N Kanal, MOSFET, 850 mA 200 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, QFET
- onsemi N Kanal, MOSFET, 1.7 A 100 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, QFET
- onsemi Typ P Kanal, P-kanal QFET MOSFET, 2.7 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, QFET
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 3.4 A 30 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, PowerTrench
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 2.5 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, NDT
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 5 A 30 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, NDT
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 2.6 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, NTF