onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 2.6 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, NTF
- RS-artikelnummer:
- 688-9130
- Tillv. art.nr:
- NTF2955T1G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
31,70 kr
(exkl. moms)
39,62 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 84 enhet(er) från den 08 juni 2026
- Dessutom levereras 7 348 enhet(er) från den 15 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 15,85 kr | 31,70 kr |
| 20 - 198 | 13,665 kr | 27,33 kr |
| 200 + | 11,815 kr | 23,63 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 688-9130
- Tillv. art.nr:
- NTF2955T1G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 2.6A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | NTF | |
| Kapseltyp | SOT-223 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 185mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 14.3nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 2.3W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 1.57mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 6.5mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 2.6A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie NTF | ||
Kapseltyp SOT-223 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 185mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 14.3nC | ||
Maximal effektförlust Pd 2.3W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 1.57mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 6.5mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
P-kanal effekt-MOSFET, 30 V till 500 V, ON Semiconductor
MOSFET-transistorer, ON Semiconductor
Relaterade länkar
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 2.6 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, NTF
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 2.9 A 30 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, NTF AEC
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 2.6 A 12 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, PowerTrench
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 1 A 100 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, QFET
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 2.5 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, NDT
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 7.5 A 30 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, NDT
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 3.4 A 30 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, PowerTrench
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 5 A 30 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, NDT
