onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 8.4 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, NVF6P02 AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 längd med 10 enheter)*

111,10 kr

(exkl. moms)

138,90 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Försörjningsbrist
  • 3 160 kvar, redo att levereras
Vårt nuvarande lager är begränsat och våra leverantörer förväntar sig brist.

Enheter
Per enhet
Per tejp*
10 - 9011,11 kr111,10 kr
100 - 2409,587 kr95,87 kr
250 - 4908,31 kr83,10 kr
500 - 9907,302 kr73,02 kr
1000 +6,642 kr66,42 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
805-1996
Tillv. art.nr:
NVF6P02T3G
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Kanaltyp

Typ P

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

8.4A

Maximal källspänning för dränering Vds

20V

Kapseltyp

SOT-223

Serie

NVF6P02

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

70mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

8.3W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

15nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-8, +8V

Framåtriktad spänning Vf

-1.2V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Bredd

3.7mm

Längd

6.7mm

Höjd

1.65mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

AEC-Q101

P-kanalig effekt-MOSFET, 20V, ON Semiconductor


MOSFET-transistorer, ON Semiconductor


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.