onsemi 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 6.5 A 20 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- RS-artikelnummer:
- 806-3680
- Tillv. art.nr:
- FDS9934C
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Antal (1 längd med 10 enheter)*
79,07 kr
(exkl. moms)
98,84 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
- 1 870 enhet(er) levereras från den 08 september 2026
Enheter | Per enhet | Per tejp* |
|---|---|---|
| 10 + | 7,907 kr | 79,07 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 806-3680
- Tillv. art.nr:
- FDS9934C
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | Typ P, Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 6.5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Serie | PowerTrench | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 90mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 6.2nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.73V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 12V | |
| Maximal effektförlust Pd | 2W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Isolerad | |
| Höjd | 1.575mm | |
| Längd | 4.9mm | |
| Bredd | 3.9mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp Typ P, Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 6.5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Serie PowerTrench | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 90mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 6.2nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.73V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 12V | ||
Maximal effektförlust Pd 2W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Transistorkonfiguration Isolerad | ||
Höjd 1.575mm | ||
Längd 4.9mm | ||
Bredd 3.9mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
PowerTrench® MOSFET med dubbla N/P-kanaler, Fairchild Semiconductor
MOSFET-transistorer, ON Semi
Relaterade länkar
- onsemi 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 6.5 A 20 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi 2 Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 6.5 A 20 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi 2 Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 7 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi 2 Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 6.9 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi 2 Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 6 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi 2 Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 2.3 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi 2 Typ N, Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 6.2 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi 2 Typ N, Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 8.6 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
