onsemi 2 Typ N, Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 8.6 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

8 195,00 kr

(exkl. moms)

10 245,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Begränsat lager
  • 2 500 kvar, redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2500 +3,278 kr8 195,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
124-1715
Tillv. art.nr:
FDS8858CZ
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N, Typ P

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

8.6A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Kapseltyp

SOIC

Serie

PowerTrench

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

21mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

25V

Maximal effektförlust Pd

1.6W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

17nC

Framåtriktad spänning Vf

0.8V

Transistorkonfiguration

Isolerad

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Bredd

4mm

Längd

5mm

Höjd

1.5mm

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

Nej

PowerTrench® MOSFET med dubbla N/P-kanaler, Fairchild Semiconductor


PowerTrench® MOSFETs är optimerade strömbrytare som ger ökad systemeffektivitet och effekttäthet. De kombinerar liten grindladdning (Qg), liten omvänd återhämtningsladdning (Qrr) och mjuk omvänd återhämtningsdiod, vilket bidrar till snabb växling av synkron likriktning i AC/DC-strömförsörjningar.

De senaste PowerTrench® MOSFET:erna har en struktur med avskärmad grind som ger laddningsbalans. Genom att utnyttja denna avancerade teknik är FOM (Figure of Merit) för dessa enheter betydligt lägre än för tidigare generationer.

PowerTrench® MOSFET:ernas prestanda som mjukkroppsdioder kan eliminera snubberkretsar eller ersätta MOSFET:er med högre spänning.

MOSFET-transistorer, ON Semi


ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.

ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.