onsemi 2 Typ N, Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 6.2 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- RS-artikelnummer:
- 671-0539
- Tillv. art.nr:
- FDS4897C
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 671-0539
- Tillv. art.nr:
- FDS4897C
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | Typ N, Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 6.2A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Serie | PowerTrench | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 63mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 20nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 2W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 700mV | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Isolerad | |
| Bredd | 4mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS Compliant | |
| Höjd | 1.5mm | |
| Längd | 5mm | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp Typ N, Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 6.2A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Serie PowerTrench | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 63mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 20nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Maximal effektförlust Pd 2W | ||
Framåtriktad spänning Vf 700mV | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Transistorkonfiguration Isolerad | ||
Bredd 4mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS Compliant | ||
Höjd 1.5mm | ||
Längd 5mm | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
PowerTrench® Dual N/P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs, employ shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this Advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generation.
Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Relaterade länkar
- onsemi 2 Typ N, Typ N, Typ P, Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 6.2 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi 2 Typ N, Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 8.6 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 4.5 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 6.4 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 6.5 A 20 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi 2 Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 6 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi 2 Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 2.3 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi 2 Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 6.9 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench