onsemi 2 Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 6.9 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- RS-artikelnummer:
- 671-0536
- Tillv. art.nr:
- FDS4935BZ
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
76,16 kr
(exkl. moms)
95,20 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 14 410 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 15,232 kr | 76,16 kr |
| 25 - 95 | 10,596 kr | 52,98 kr |
| 100 - 245 | 6,988 kr | 34,94 kr |
| 250 - 495 | 6,362 kr | 31,81 kr |
| 500 + | 5,824 kr | 29,12 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 671-0536
- Tillv. art.nr:
- FDS4935BZ
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 6.9A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 22mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 29nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.6W | |
| Framåtriktad spänning Vf | -0.8V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 25V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Isolerad | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 4mm | |
| Höjd | 1.5mm | |
| Längd | 5mm | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 6.9A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Serie PowerTrench | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 22mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 29nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 1.6W | ||
Framåtriktad spänning Vf -0.8V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 25V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Transistorkonfiguration Isolerad | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 4mm | ||
Höjd 1.5mm | ||
Längd 5mm | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
PowerTrench® Dual P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs, employ shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generation.
Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.
MOSFET-transistorer, ON Semi
ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.
ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.
Relaterade länkar
- onsemi 2 Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 6.9 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi 2 Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 7 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi 2 Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 6 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi 2 Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 2.3 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi 2 Typ N, Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 6.2 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi 2 Typ N, Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 8.6 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 4.5 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 6.4 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench