IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 210 A 300 V Förbättring, 3 Ben, PLUS264, HiperFET, Polar3

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rör med 25 enheter)*

6 896,75 kr

(exkl. moms)

8 621,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 14 juni 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rör*
25 +275,87 kr6 896,75 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
920-0987
Tillv. art.nr:
IXFB210N30P3
Tillverkare / varumärke:
IXYS
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

IXYS

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

210A

Maximal källspänning för dränering Vds

300V

Serie

HiperFET, Polar3

Kapseltyp

PLUS264

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

14.5mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

1.89kW

Framåtriktad spänning Vf

1.5V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

268nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Höjd

26.59mm

Längd

20.29mm

Bredd

5.31mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
US

N-kanals effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™-serien


Ett sortiment av IXYS Polar3™-serie N-kanaliga Power MOSFETs med snabb inbyggd diod (HiPerFET™)

MOSFET-transistorer, IXYS


Ett brett utbud av avancerade diskreta effekt-MOSFET-enheter från IXYS

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.