onsemi 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 7 A 30 V Förbättring, 8 Ben, ECH

Se alla MOSFET-transistor
Försörjningsbrist
På grund av en global utbudsbrist vet vi inte när detta kommer att finnas i lager igen.
Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
802-0850
Tillv. art.nr:
ECH8661-TL-H
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Produkttyp

Effekt-MOSFET

Kanaltyp

Typ P, Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

7A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Kapseltyp

ECH

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

39mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

0.79V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

11.8nC

Minsta arbetsstemperatur

150°C

Maximal effektförlust Pd

1.3W

Transistorkonfiguration

Isolerad

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

2.9mm

Höjd

0.9mm

Standarder/godkännanden

No

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

Nej

Dual N/P-Channel MOSFET, ON Semiconductor


The NTJD1155L is a dual channel MOSFET. Featuring both P and N-channel’s into a single package, this MOSFET is brilliant for low control signal, low battery voltages and high load currents. The N-channel features internal ESD protection and can be driven by logic signals as low as 1.5V, while the P-Channel is designed to be used on load switching applications. The P-channel also designed with ON semi’s trench technology.

MOSFET-transistorer, ON Semiconductor


Relaterade länkar