onsemi 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 7 A 30 V Förbättring, 8 Ben, ECH

Se alla MOSFET-transistor
Försörjningsbrist
På grund av en global utbudsbrist vet vi inte när detta kommer att finnas i lager igen.
Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
802-0850
Tillv. art.nr:
ECH8661-TL-H
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Kanaltyp

Typ P, Typ N

Produkttyp

Effekt-MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

7A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Kapseltyp

ECH

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

39mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

150°C

Maximal effektförlust Pd

1.3W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

11.8nC

Framåtriktad spänning Vf

790mV

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-20V, +20V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Transistorkonfiguration

Isolerad

Bredd

2.3mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

2.9mm

Höjd

900μm

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

Nej

Dubbel N/P-kanal MOSFET, ON Semiconductor


NTJD1155L är en tvåkanalig MOSFET. Med både P- och N-kanal i en enda kapsel är denna MOSFET utmärkt för låg styrsignal, låga batterispänningar och höga belastningsströmmar. N-kanalen har internt ESD-skydd och kan drivas av logiska signaler så låga som 1,5 V, medan P-kanalen är utformad för att användas på lastväxlingstillämpningar. P-kanalen är också utformad med ON semis trenchteknik.

MOSFET-transistorer, ON Semiconductor


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.