onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 9 A 30 V Förbättring, 8 Ben, ECH, ECH8310
- RS-artikelnummer:
- 791-9421
- Tillv. art.nr:
- ECH8310-TL-H
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Lägg till 100 till för att spara 13%
Visa alternativ för volympriserAntal (1 längd med 10 enheter)*
82,43 kr
(exkl. moms)
103,04 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
- Slutlig(a) 2 350 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per tejp* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 10 - 90 | 8,243 kr | 82,43 kr | - |
| 100 - 240 | 7,112 kr | 71,12 kr | 13% |
| 250 - 490 | 6,16 kr | 61,60 kr | 25% |
| 500 - 990 | 5,421 kr | 54,21 kr | 34% |
| 1000 + | 4,917 kr | 49,17 kr | 40% |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 791-9421
- Tillv. art.nr:
- ECH8310-TL-H
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 9A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | ECH | |
| Serie | ECH8310 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 17mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.2V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 28nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.5W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 900μm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 2.9mm | |
| Bredd | 2.3mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 9A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp ECH | ||
Serie ECH8310 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 17mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.2V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 28nC | ||
Maximal effektförlust Pd 1.5W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 900μm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 2.9mm | ||
Bredd 2.3mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
P-kanal effekt-MOSFET, 30 V till 500 V, ON Semiconductor
MOSFET-transistorer, ON Semiconductor
Relaterade länkar
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 9 A 30 V Förbättring, 8 Ben, ECH, ECH8310
- onsemi 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 7 A 30 V Förbättring, 8 Ben, ECH
- onsemi Typ P Kanal, P-kanal QFET MOSFET, 2.7 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, QFET
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 13.5 A 20 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, FDS
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 20 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 15.5 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 10 A 20 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 5.3 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
