Nexperia N Kanal, MOSFET, 100 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263
- RS-artikelnummer:
- 798-2987
- Tillv. art.nr:
- PSMN4R6-60BS,118
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 4 enheter)*
119,06 kr
(exkl. moms)
148,824 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 468 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 4 - 16 | 29,765 kr | 119,06 kr |
| 20 - 76 | 26,153 kr | 104,61 kr |
| 80 - 196 | 22,96 kr | 91,84 kr |
| 200 - 396 | 21,365 kr | 85,46 kr |
| 400 + | 20,693 kr | 82,77 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 798-2987
- Tillv. art.nr:
- PSMN4R6-60BS,118
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Nexperia | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 100A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 7mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 70.8nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 211W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 10.3mm | |
| Höjd | 4.5mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 11mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Nexperia | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 100A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 7mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 70.8nC | ||
Maximal effektförlust Pd 211W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 10.3mm | ||
Höjd 4.5mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 11mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- PH
N-kanal MOSFET, 60 V till 80 V, Nexperia
MOSFET-transistorer, NXP Semiconductors
Relaterade länkar
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 30 V Förbättring, 3 Ben, TO-263
- Nexperia Enkel Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-263
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 30 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, PSMN3R4-30BLE
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 67 A 1200 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, NSF030120D7A0
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 38.27 A 1200 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, NSF060120D7A0
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 30 V Förbättring, 5 Ben, TO-263, PSM
