Nexperia N Kanal, MOSFET, 38.27 A 1200 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, NSF060120D7A0
- RS-artikelnummer:
- 219-446
- Tillv. art.nr:
- NSF060120D7A0J
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 längd med 1 enhet)*
194,68 kr
(exkl. moms)
243,35 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 778 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Tejp(er) | Per tejp |
|---|---|
| 1 - 9 | 194,68 kr |
| 10 - 99 | 175,21 kr |
| 100 + | 161,43 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 219-446
- Tillv. art.nr:
- NSF060120D7A0J
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Nexperia | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 38.27A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1200V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Serie | NSF060120D7A0 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 7 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 60mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 22V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 57nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 167W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Nexperia | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 38.27A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1200V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Serie NSF060120D7A0 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 7 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 60mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 22V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 57nC | ||
Maximal effektförlust Pd 167W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Nexperia SiC Power MOSFET levereras i ett kompakt 7-stifts TO-263-plastpaket för ytmontering på kretskort. Dess utmärkta RDS(on)-temperaturstabilitet och snabba omkopplingshastigheter gör den idealisk för industriella tillämpningar med hög effekt och hög spänning, inklusive laddningsinfrastruktur för elfordon, solcellsväxelriktare och motordrivare.
Snabb omvänd återhämtning
Snabb kopplingshastighet
Temperaturoberoende avstängningskopplingsförluster
Mycket snabb och robust inre kroppsdiod
Relaterade länkar
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 67 A 1200 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, NSF030120D7A0
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET 1200 V Förbättring, 4 Ben, TO-247
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET 1200 V Förbättring, 3 Ben, TO-247
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 98 A 1200 V Förbättring, 7 Ben, TO-263
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 17 A 1200 V Förbättring, 7 Ben, TO-263
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 75 A 1200 V Förbättring, 7 Ben, TO-263
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 1200 V Förbättring, 7 Ben, TO-263
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 24 A 1200 V Förbättring, 7 Ben, TO-263