Nexperia N Kanal, MOSFET, 120 A 30 V Förbättring, 5 Ben, TO-263, PSM

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 800 enheter)*

36 835,20 kr

(exkl. moms)

46 044,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 800 enhet(er) från den 22 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
800 +46,044 kr36 835,20 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
219-444
Tillv. art.nr:
PSMN1R5-30BLEJ
Tillverkare / varumärke:
Nexperia
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Nexperia

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

120A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Serie

PSM

Kapseltyp

TO-263

Typ av fäste

Yta

Antal ben

5

Maximal drain-källresistans Rds

1.5mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

228nC

Maximal effektförlust Pd

401W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
PH
Nexperia Logic Level N-kanal MOSFET är inrymd i ett D2PAK-hus och kvalificerad för drift upp till 175 °C. Den är utformad för användning i ett brett utbud av industriella, kommunikations- och hushållstillämpningar, vilket ger tillförlitlig prestanda i krävande miljöer.

Förbättrat framåtriktat säkert driftsområde för överlägsen linjär drift

Mycket låg Rdson för låga ledningsförluster

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.