Nexperia N Kanal, MOSFET, 67 A 1.2 kV Förbättring, 7 Ben, TO-263, NSF030120D7A0
- RS-artikelnummer:
- 219-443
- Tillv. art.nr:
- NSF030120D7A0J
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 längd med 1 enhet)*
251,10 kr
(exkl. moms)
313,88 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 800 enhet(er) från den 16 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Tejp(er) | Per tejp |
|---|---|
| 1 - 9 | 251,10 kr |
| 10 - 99 | 225,90 kr |
| 100 + | 208,32 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 219-443
- Tillv. art.nr:
- NSF030120D7A0J
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Nexperia | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 67A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1.2kV | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Serie | NSF030120D7A0 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 7 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 30mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 22V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 306W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 113nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Nexperia | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 67A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1.2kV | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Serie NSF030120D7A0 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 7 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 30mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 22V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 306W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 113nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Nexperia SiC Power MOSFET levereras i ett kompakt 7-stifts TO-263-plastpaket för ytmontering på kretskort. Dess utmärkta RDS(on)-temperaturstabilitet och snabba omkopplingshastigheter gör den idealisk för industriella tillämpningar med hög effekt och hög spänning, inklusive laddningsinfrastruktur för elfordon, solcellsväxelriktare och motordrivare.
Snabb omvänd återhämtning
Snabb kopplingshastighet
Temperaturoberoende avstängningskopplingsförluster
Mycket snabb och robust inre kroppsdiod
Relaterade länkar
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 67 A 1.2 kV Förbättring, 4 Ben, TO-247
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 38.27 A 1.2 kV Förbättring, 7 Ben, TO-263, NSF060120D7A0
- ROHM N Kanal, MOSFET, 17 A 1.2 kV Förbättring, 7 Ben, TO-263
- ROHM N Kanal, MOSFET, 75 A 1.2 kV Förbättring, 7 Ben, TO-263
- ROHM N Kanal, MOSFET, 40 A 1.2 kV Förbättring, 7 Ben, TO-263
- ROHM N Kanal, MOSFET, 24 A 1.2 kV Förbättring, 7 Ben, TO-263
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 37 A 1.2 kV Förbättring, 3 Ben, TO-247
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 37 A 1.2 kV Förbättring, 4 Ben, TO-247