Nexperia N Kanal, MOSFET, 91 A 30 V Förbättring, 4 Ben, SOT-669
- RS-artikelnummer:
- 798-2984
- Tillv. art.nr:
- PSMN5R0-30YL,115
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (10 enheter, i en förpackning med 10)*
71,90 kr
(exkl. moms)
89,90 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 100 enhet(er) från den 05 oktober 2026
- Dessutom levereras 1 130 enhet(er) från den 12 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 70 | 7,19 kr | 71,90 kr |
| 80 - 370 | 6,82 kr | 68,20 kr |
| 380 + | 5,752 kr | 57,52 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 798-2984
- Tillv. art.nr:
- PSMN5R0-30YL,115
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Nexperia | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 91A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | SOT-669 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 5mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 29nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 61W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 5mm | |
| Bredd | 4.1mm | |
| Höjd | 1.1mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Nexperia | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 91A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp SOT-669 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 5mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 29nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Maximal effektförlust Pd 61W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 5mm | ||
Bredd 4.1mm | ||
Höjd 1.1mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanalig MOSFET, upp till 30V
MOSFET-transistorer, NXP Semiconductors
Relaterade länkar
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 91 A 30 V Förbättring, 4 Ben, SOT-669
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 76 A 30 V Förbättring, 4 Ben, SOT-669
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 100 A 30 V Förbättring, 4 Ben, SOT-669
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 100 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-669
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 44 A 30 V Förbättring, 4 Ben, SOT-669
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 44 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-669
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 37 A 30 V Förbättring, 4 Ben, SOT-669
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 46 A 40 V Förbättring, 4 Ben, SOT-669