Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 30 V Förbättring, 4 Ben, SOT-669

Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 längd med 5 enheter)*

87,63 kr

(exkl. moms)

109,54 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 455 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per tejp*
5 - 2017,526 kr87,63 kr
25 +15,16 kr75,80 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
798-2912
Tillv. art.nr:
PSMN1R7-30YL,115
Tillverkare / varumärke:
Nexperia
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Nexperia

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

100A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Kapseltyp

SOT-669

Typ av fäste

Yta

Antal ben

4

Maximal drain-källresistans Rds

2.4mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

77.9nC

Maximal effektförlust Pd

109W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Längd

5mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

4.1mm

Höjd

1.1mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
PH

N-kanalig MOSFET, upp till 30V


MOSFET-transistorer, NXP Semiconductors


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.