Nexperia N Kanal, MOSFET, 59 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-669
- RS-artikelnummer:
- 798-2823
- Tillv. art.nr:
- PSMN012-60YS,115
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 798-2823
- Tillv. art.nr:
- PSMN012-60YS,115
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Nexperia | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 59A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | SOT-669 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 17.8mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 28.4nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 89W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 1.1mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 4.1mm | |
| Längd | 5mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Nexperia | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 59A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp SOT-669 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 17.8mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 28.4nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 89W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 1.1mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 4.1mm | ||
Längd 5mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- PH
N-kanal MOSFET, 60 V till 80 V, Nexperia
MOSFET-transistorer, NXP Semiconductors
Relaterade länkar
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 59 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-669
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 44 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-669
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 100 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-669
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 89 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-669
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 46 A 40 V Förbättring, 4 Ben, SOT-669
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 100 A 25 V Förbättring, 4 Ben, SOT-669
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 44 A 30 V Förbättring, 4 Ben, SOT-669
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 37 A 30 V Förbättring, 4 Ben, SOT-669