Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 40 V Förbättring, 4 Ben, SOT-669
- RS-artikelnummer:
- 798-2937
- Tillv. art.nr:
- PSMN2R6-40YS,115
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
121,07 kr
(exkl. moms)
151,34 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 2 945 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 10 | 24,214 kr | 121,07 kr |
| 15 - 70 | 22,132 kr | 110,66 kr |
| 75 - 370 | 21,526 kr | 107,63 kr |
| 375 - 745 | 20,988 kr | 104,94 kr |
| 750 + | 20,452 kr | 102,26 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 798-2937
- Tillv. art.nr:
- PSMN2R6-40YS,115
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Nexperia | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 100A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | SOT-669 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 3.7mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 63nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 131W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 4.1mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 5mm | |
| Höjd | 1.1mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Nexperia | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 100A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp SOT-669 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 3.7mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 63nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 131W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 4.1mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 5mm | ||
Höjd 1.1mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanal MOSFET, 40 V till 55 V
MOSFET-transistorer, NXP Semiconductors
Relaterade länkar
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 40 V Förbättring, 4 Ben, SOT-669
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 90 A 40 V Förbättring, 4 Ben, SOT-669
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 46 A 40 V Förbättring, 4 Ben, SOT-669
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 30 V Förbättring, 4 Ben, SOT-669
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 89 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-669
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 82 A 80 V Förbättring, 4 Ben, SOT-669
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 91 A 30 V Förbättring, 4 Ben, SOT-669
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-669