Nexperia N Kanal, MOSFET, 120 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263
- RS-artikelnummer:
- 798-2921
- Tillv. art.nr:
- PSMN1R7-60BS,118
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
89,04 kr
(exkl. moms)
111,30 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 23 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 6 | 44,52 kr | 89,04 kr |
| 8 - 38 | 42,11 kr | 84,22 kr |
| 40 - 198 | 37,91 kr | 75,82 kr |
| 200 - 398 | 30,185 kr | 60,37 kr |
| 400 + | 28,56 kr | 57,12 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 798-2921
- Tillv. art.nr:
- PSMN1R7-60BS,118
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Nexperia | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 120A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 3.1mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 306W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 137nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 10.3mm | |
| Höjd | 4.5mm | |
| Bredd | 11mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Nexperia | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 120A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 3.1mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 306W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 137nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 10.3mm | ||
Höjd 4.5mm | ||
Bredd 11mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- PH
N-kanal MOSFET, 60 V till 80 V, Nexperia
MOSFET-transistorer, NXP Semiconductors
Relaterade länkar
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 30 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, PSMN3R4-30BLE
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 30 V Förbättring, 3 Ben, TO-263
- Nexperia Enkel Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-263
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 30 V Förbättring, 5 Ben, TO-263, PSM
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 200 A 25 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 200 A 40 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM